成熟机型！单键合头和键合STAGE，键合头可实现主动调平，可主动跟随基板或晶圆翘曲，以及温度带来的变化！带大力和小力双Z轴力控技术！
搭配上下视觉完成热压键合工艺！可针对大芯片！最高温450°！预留惰气环境！可搭配自动上下料！
TCB 是先进封装核心倒装键合设备，面向 HBM、CoWoS、Chiplet、2.5D/3D 封装，用于细间距铜柱凸点芯片的高精度键合；区别于传统回流焊，采用邦头局部脉冲加热 + 闭环压力控制，在对准状态下同步完成热、压，实现芯片凸点与基板 / 中介层互连电子工程专...。
芯片由键合头真空吸附，光学双视对准，邦头施加精准压力，脉冲式快速升温，使铜柱顶端焊帽局部熔融（或 Cu-Cu 固态扩散键合），保持压力下快速冷却固化，完成互连；全程基板基座维持低温，大幅降低 CTE 翘曲、虚焊、焊料桥接风险，可主动控制键合层厚度 BLT。 主流工艺类型：TC-NCF、TC-NCP、TC-CUF、TC-MUF；也支持无助焊 Fluxless版本（甲酸还原，适配 CPO 光电封装）。
Bond Head 键合头（核心）
气浮直线电机，多自由度（X/Y/Z/θ+ 双倾斜调平），主动倾角补偿；大尺寸芯片区域共面度可达 3μm 内
脉冲加热器：高速升降温，典型升温≥60~100℃/s，降温≥50℃/s；最高温度可达 450℃
闭环力控：压力精度可达0.05N，支持宽压力区间（小压力 Cu-Cu，高压力大尺寸芯片）
真空吸嘴、自动换吸嘴
精密 XY 平台 + 基板加热基座：承载基板 / 中介层，基底低温预热，光学对位标记采集
双视光学对准系统：上下相机同步取像，实现亚微米贴装精度（±0.5μm@3σ），角度 ±0.01°
物料供给模块：晶圆、Waffle/Gel-pak、料盘多形式上料，双顶针芯片顶出
工艺气氛 / 辅助系统：可选甲酸还原腔（Fluxless）、惰性气氛、实时工艺曲线监控（温度 / 压力 / 位移曲线）
因文件特殊，右侧文件列表我已隐藏处理！
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