资料236页：半导体干法等离子刻蚀批量生产工具（ICP/RIE 双频刻蚀机，兼容 Lam/AMAT 平台）
蚀刻的定义
蚀刻 = 选择性地去除图案化晶圆表面的薄膜材料以形成电路微结构，在晶圆制造中分为两类：
湿式蚀刻 ：液体化学浴（仅用于辅助清洗，本手册不涵盖）
干式等离子刻蚀机 ：主要批量生产设备，核心培训内容在此。
化学反应（各向同性）工艺气体在等离子体作用下电离成自由基，与晶圆薄膜反应生成挥发性气体并被抽出。垂直侧壁和水平表面蚀刻速度相同。
物理离子轰击（各向异性）偏置电压加速正离子垂直向下蚀刻晶圆，物理性地去除材料。垂直蚀刻速率远高于水平蚀刻速率，这对于微小芯片图案至关重要。
大规模生产的蚀刻机将两者结合起来，可获得理想的垂直轮廓和高选择性。
蚀刻速率：每分钟去除的材料厚度（nm/min）
选择性：目标薄膜与掩模层之间的蚀刻速率比；选择性越高，掩模损失越小。
CD 均匀性：整个晶圆上的电路线宽差异；偏差越小，良率越高。
二氧化硅：CHF₃ / CF₄ 氟化学
多晶硅：HBr/Cl₂氯化学
氮化硅 Si₃N₄: SF₆
Metal TiN / AlCu: BCl₃ + Cl₂
标准集群式 ICP 双频蚀刻平台（Lam SABRE / AMAT DPS 系列通用架构）
| 范围 | 单元 | 解释 |
|---|---|---|
| ICP 功率 | W | 上等离子体源功率 |
| 偏置功率 | W | 晶圆离子轰击功率 |
| 压力 | 毫托 | 腔室内部真空压力 |
| 气体流动 | sccm | 每分钟工艺气体流量 |
| 蚀刻时间 | 秒 | 总等离子刻蚀持续时间 |
| ESC 温度 | ℃ | 静电吸盘冷却温度 |
| 他的背面 | 托尔 | 晶圆背面冷却氦压 |
