资料为KS的TCB核心技术培训资料！大量TCB相关参数，BH的热和力场等技术讲解！13个文档！都是几十页一份！
K&S（库力索法）的TCB（Thermo‑Compression Bonding，热压键合）是面向HBM、Chiplet、AI/GPU、2.5D/3D的细间距倒装 / 铜柱键合主流方案，介于传统倒装与 Hybrid Bonding 之间，主打无 / 少助焊剂、局部加热、低翘曲、高对准、8–20μm 间距，是当前先进封装量产主力！
传统倒装（Reflow）：整板进炉（250℃+），靠焊料自对准；CTE 失配→翘曲、桥接、良率低；极限间距≈40μm。
K&S TCB：局部加热 + 精准压力 + 实时控温
焊头吸附芯片，上下同步对准（<±1μm）
仅焊头加热（150–300℃），基板保持低温（<100℃），大幅抑制翘曲；
施加10–200MPa 压力，铜柱 / 微凸点与焊料 / 铜直接接触；
焊料回流或 Cu‑Cu 扩散，一步完成键合 + 固化，芯片冷却后再释放
超细间距：量产8–20μm，实验室可达 5μm；
低应力 / 低翘曲：局部加热，基板温度低，适合大尺寸芯片（100×100mm+）；
高对准精度：±0.5–1μm，优于传统回流（±3–5μm）
电气性能优：互连短、寄生 RC 低，适配 HBM/AI 高带宽低功耗需求
兼容 Cu‑Cu 直接键合：升级为Fluxless TCB（无助焊剂），Cu‑Cu 直接键合，间距 < 10μm。
