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ASMPT SilverSAM烧结设备是面向功率电子产品的银烧结设备，主打低成本、高灵活、可扩展，用于 SiC/GaN 等第三代半导体功率模块的低压 / 常压银烧结键合！
核心工艺：无氧化铜友好型银烧结（真空 / N₂/HCOOH 保护气氛），温度 200–300°C、压力 5–30 MPa，远低于银熔点（961°C）。
典型应用：汽车主逆变器、OBC、储能 PCS、工业电源、高速快充桩等 SiC/IGBT 模块烧结
防氧化专利：真空 / 保护气环境，直接烧结铜基板不氧化，无需镀金 / 银，降本显著
薄膜辅助烧结：芯片与治具间置特殊膜，防芯片压裂、粘模，良率 >99%。
选择性施压：仅对芯片 / 铜面加压，保护基板凹槽 / 线路，适配复杂模块结构
热 / 电性能跃升：烧结层厚 20–50 μm（比焊料薄 60–70%），热导率 ≥200 W/m・K，寿命提升 5–10 倍。
印刷：DEK 印刷机涂湿 / 干银浆于 DBC/AMB 基板。
贴片：POWER VECTOR 固晶机贴装芯片（预固定）。
烧结：SilverSAM™-m 真空 + 加热 + 加压，完成银颗粒键合
后处理：冷却→检测→入库
