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ALD(Atomic Layer Deposition,原子层沉积) 是基于自限制表面半反应的薄膜制备技术,区别于 PVD/PECVD 连续共通供气模式,两种前驱体交替脉冲、中间吹扫隔离,单次循环仅沉积单原子 / 单分子层,厚度完全由循环次数决定,是先进半导体三维结构唯一能做到100% 保形覆盖的工艺。