TEL = Tokyo Electron（东京电子），全球半导体刻蚀设备龙头；Tactras™ 是 TEL 经典300mm（12 英寸）集群式等离子刻蚀设备平台（2006 年上市）；Vigus™ 是搭载在 Tactras 主机框架上的介质刻蚀工艺腔室型号，完整设备全称：Tactras™ Vigus Plasma Etch System，业内简称 Tactras Vigus 氧化层 / 介质刻蚀机

Tactras整机外观

二、平台硬件核心特性（Tactras 主机）

1. 紧凑矩形集群架构行业首创横向并排工艺腔，占地面积远小于传统圆形集群，晶圆传送速度行业顶尖，工厂 Fab 产线空间利用率大幅提升。

2. 模块化腔室扩展单台主机最多搭载6 个 Vigus 工艺腔，可混配不同刻蚀腔，灵活搭配工艺；标配 3 片晶圆装载端口（Load Port）、真空传送腔、预真空锁腔（Loadlock）。

3. 高量产稳定性上市超 20 年，成熟量产平台，广泛用于成熟逻辑、存储、功率半导体，二手翻新设备流通量极大。

4. 统一真空与传送系统中央真空机械臂同步多腔并行加工，降低晶圆等待时间，提升单片产出（WPH）。

三、Vigus™ 工艺腔核心能力（介质刻蚀专用）

Vigus 腔主打电介质薄膜干法等离子刻蚀（Dielectric Etch），是后端金属层 BEOL、浅沟槽、通孔主流腔室：

1. 核心加工场景

• 高纵横比通孔 / 接触孔刻蚀（High Aspect Ratio Hole）

• 氧化硅、低 k/ULK 介质沟槽刻蚀（Trench Etch）

• 硬掩模、氧化层掩模刻蚀

• 芯片后端 BEOL 层间介质、通孔刻蚀

关键工艺指标

• 片内刻蚀均匀性优异、片间偏差极小；

• 高刻蚀选择比，精准停在下层停止层；

• 高刻蚀速率，兼顾量产效率与图形剖面垂直度；

• 低颗粒产生，提升晶圆良率。

等离子技术电容耦合 CCP 等离子源，多频段 RF 功率独立控制，精准调节离子能量与自由基比例，适配深浅不同介质图形；配套静电吸盘 ESC 控温，稳定晶圆表面温度。

Vigus工艺腔内部

腔室真空组件

四、适用芯片工艺节点与产品

1. 工艺制程：成熟制程全覆盖（28nm、40nm、55nm、90nm 及以上），适配存储 Flash、功率器件、MCU、模拟芯片；

2. 晶圆尺寸：仅支持 **300mm（12 英寸）** 硅片；

3. 同平台其他腔室区分

• Vigus：介质 / 氧化层刻蚀（Dielectric）

• Vesta：多晶硅、导体刻蚀

• UDEMAE：功率器件深沟槽专用腔

五、设备应用场景

1. 新建成熟制程 12 寸 Fab 量产线主力介质刻蚀机；

2. 功率半导体（IGBT、MOSFET）沟槽、终端区氧化层刻蚀；

3. 存储芯片 NOR/NAND 接触孔、通孔刻蚀；

4. 二手翻新设备广泛用于封测、特色工艺代工厂。