TCP 9400 / 9600 是 Lam 经典的 200mm（8 寸）TCP（变压器耦合等离子体）多晶硅 / 硅刻蚀机，主打栅极 Poly、STI、硅沟槽，是 0.13μm–0.5μm 节点的主力，9600 是 9400 的升级款。
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机型：TCP 9400（约 2000 年）、TCP 9600（后续升级版）
用途：多晶硅（Poly）栅刻蚀、单晶硅刻蚀、STI、硅沟槽、Polycide
尺寸：200mm（8 寸），也兼容 6 寸；不支持 12 寸
制程：0.13μm – 0.5μm（9400DFM 主打 0.13μm 及以下）
架构：TCP 高密度 ICP + 单腔 / 多腔（最多 3 腔），无陶瓷腔体
典型 gases：Cl₂、HBr、O₂、He（Poly 刻蚀主流是 HBr/Cl₂ 体系）
上电极：13.56MHz 射频源（TCP coil），产生高密度等离子体（1e11–1e12 ions/cm³）
下电极（Wafer chuck）：独立 13.56MHz 偏置，控制离子能量（0–1500V）
特点：密度与能量独立可调，刻蚀速率高、均匀性好、损伤低。
TCP 9400：
经典 Poly 刻蚀机，0.18–0.5μm 量产主力
代表型号：9400DFM（Designed For Manufacture），多腔（1–3 腔），产能可达 46 WPH（3 腔）
无陶瓷腔设计，MTBC > 20,000 RF 分钟，颗粒少、维护周期长
TCP 9600（升级款）：
腔体、射频、温控优化，均匀性、CD 控制更好
支持低温工艺、硬掩模、更窄线宽（延伸至 90nm）
可选 DSQ 去胶腔，刻蚀 + 去胶一体
刻蚀速率：Poly ≈ 3000–8000 Å/min；Si ≈ 5000–10000 Å/min
均匀性：<2%（3σ）（8 寸整片）
侧壁角度：85°–89°（陡直，适合栅极）
选择比：Poly 对栅氧（SiO₂）>20:1；对光刻胶 >15:1
终点检测：光学干涉 / 发射光谱（OES），精准停在栅氧上
