强项：SiO₂、Si₃N₄、低 k、高 k、TEOS、钝化层、硬掩模。
MSSD（多站序列沉积）：4 腔 / 6 腔线性平台，晶圆依次过腔，产能高、均匀性好。
独立晶圆加热 + 高密度等离子体：沉积速率快、薄膜致密、应力可控。
Vector DT（Dielectric Trench）：专攻沟槽 / 高深宽比结构的保形沉积（3D NAND、TSV）。
Vector Express：通用量产，4 腔，产能≈120 片 / 小时（300mm）。
Vector Extreme：高端，6 腔，低温 + 高均匀性，适合7–14nm低 k / 高 k。
Vector DT：背面 / 沟槽专用，3D NAND 存储器主力。
200/300mm，干法刻蚀 + 等离子体去胶（Ash）一体机，主打介质刻蚀、去胶、钝化层刻蚀，不做硅 / 金属主刻蚀（那是 2300 的活）。
HDIC（高密度感应耦合）+ 双区腔体：等离子体密度高、边缘均匀性好、颗粒低。
HEPA（氦增强等离子体去胶）：低温去胶，低损伤、高选择比，适合光阻 / 硬掩模去除。
Vector（标准版）：6/8 寸，介质刻蚀（SiO₂、Si₃N₄）、去胶，速率≈1μm/min，均匀性 ±3%。
Vector Express：12 寸，量产型，刻蚀 + 去胶一体，产能≈200 片 / 小时。
Vector Extreme：高端 12 寸，ALE 原子层刻蚀能力，先进节点低 k / 高 k 刻蚀。
晶圆：200/300mm
源功率：0–2000W（ICP）
偏置：0–1500W（RF）
压力：1–10mTorr
刻蚀速率：SiO₂≈0.8–1.2μm/min；Si₃N₄≈0.5–0.9μm/min
均匀性：<2.5%（3σ）
选择比：对光阻 > 30:1；对硬掩模 > 20:1
