LAM 2300 是泛林刻蚀平台，分三大系列：Exelan（介质）、Versys Silicon（硅）、Versys Metal（金属），是 200mm/300mm 成熟制程（28nm 以上）的主力机型，以高密度 ICP + 双频 DFC™为核心，主打高均匀性、高选择比、低损伤。

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一、平台定位与核心技术

• 市场定位：200mm（8 寸）量产主力、300mm（12 寸）成熟制程；逻辑 / 存储 / 功率器件用量极大。

• 核心架构：TCP ICP（13.56MHz）+ 双频偏置（2MHz/60MHz），离子密度与能量独立调控。

  • 60MHz：高密度等离子体（1e11–1e12 ions/cm³），提升刻蚀速率。

  • 2MHz：低能离子轰击（0–3000eV），控制侧壁形貌与垂直性。

• 关键技术：

  • DFC™（双频约束等离子体）：等离子体约束好、均匀性高、腔室记忆效应低。

  • 无陶瓷腔室 + 原位无晶圆自动清洗（WAC）：延长维护周期、降低颗粒污染。

  • AEI（先进边缘隔离）：边缘均匀性优异，减少边缘缺陷。

二、三大主力系列（2300 家族）

1）2300 Exelan（介质刻蚀，旗舰）

• 应用：SiO₂、低 k 介质、硬掩模、通孔 / 沟槽、双镶嵌（Dual Damascene）。

• 能力：

  • 刻蚀速率：SiO₂≈1.5μm/min，低 k≈1.2μm/min。

  • 均匀性：<2%（3σ），CD 偏差 < 10nm（65nm 节点）。

  • 选择比：对光刻胶 > 50:1，对硬掩模 > 30:1。

• 型号：Exelan Flex（通用）、Exelan HARC（高纵横比接触孔）。

2）2300 Versys Silicon（硅刻蚀）

• 应用：STI（浅沟槽隔离）、栅极、FinFET、源漏、硅通孔（TSV）。

• 能力：

  • 硅刻蚀速率：>5μm/min（深硅），侧壁垂直性 > 88°。

  • 终点检测：干涉 endpoint，超薄栅氧 / 深沟槽精准控制。

• 型号：Versys Kiyo3x（先进节点，CD 一致性 ±1nm）。

3）2300 Versys Metal（金属刻蚀）

• 应用：Al、Cu、TiN、W、金属栅极、铝垫刻蚀。

• 能力：

  • Al 刻蚀：BCl₃/Cl₂化学，速率≈1μm/min，侧壁光滑无腐蚀缺陷。

  • 金属栅：高选择比、低 LER（线边缘粗糙度）。

三、核心参数（典型值）

• 晶圆尺寸：200mm（8 寸）/300mm（12 寸）。

• 腔体配置：1–6 腔模块化，负载锁 + 真空传输。

• 射频功率：TCP 源 1250W；偏置 60MHz/2MHz 双频，0–3000W。

• 压力范围：0.5–10mTorr，精准闭环控制（±0.1Pa）。

• 产能：80–120 片 / 小时（300mm，取决于工艺）。

• 制程节点：主流 28nm–130nm，可支持 65nm–90nm。