XP8 是荷兰 ASM 公司面向300mm 先进制程晶圆推出的量产型等离子增强原子层沉积（PEALD）集群式镀膜平台，专为逻辑芯片、存储芯片 7nm 及以下先进节点大批量介质薄膜沉积设计，是全球晶圆厂主流 ALD 量产机台，分多腔体模块化构型版本！它能够进行多种介质 PEALD 工艺，包括氧化硅和氮化硅。
ASM XP8整机外观
标准300mm（12 英寸）单片式晶圆平台，纯量产架构，不兼容 200mm 晶圆。
依托等离子体活化前驱体，严格自限制单层循环沉积；相比热 ALD，可大幅降低沉积温度，同时台阶覆盖、薄膜致密度、应力可调性全面升级，完美适配高深宽比结构、多重图案化精细制程。
XP8 平台可灵活选配 DCM 双腔模块、QCM 四腔模块，单主机可搭载最多 4 组工艺模块：
| 构型 | 单模块反应腔数 | 整机最大腔体数量 | 主流应用厂区 |
|---|---|---|---|
| DCM（Eagle XP8） | 2 腔 / 模块 | 4 模块 = 8 个独立反应腔 | 中国大陆 Fab 主流标配ASM |
| QCM/JQCM/Magma | 4 腔 / 模块 | 4 模块 = 16 个独立反应腔 | 韩厂、高端逻辑厂，超高产能产线ASM |
完全独立反应腔 RC每个腔体工艺参数（功率、温度、气体流量、等离子体参数）互不干涉，可同机并行跑多种不同工艺，产线调度灵活性极强。
小容积腔体设计腔体内部容积精简，前驱体脉冲、吹扫时间大幅缩短，循环节拍提速；同时稀有气体、硅源前驱体耗材消耗量显著下降，降低单片晶圆制造成本。
超高腔间一致性多腔体之间膜厚、折射率、应力、台阶覆盖率偏差极小，Wafer-to-Wafer、Lot-to-Lot 工艺波动极低，大批量量产良率稳定。
维护友好结构前开式腔体舱门设计，腔体拆解、喷淋头（Showerhead）清洁、易损阀件更换工时大幅缩短，机台 UPH 稼动率更高；喷淋头做抗等离子腐蚀、防金属污染强化设计，适配百万次高频 ALD 循环工况。
全域闭环膜厚控制系统晶圆多点原位实时监测沉积速率，动态修正等离子功率、气体配比，整片 300mm 晶圆膜厚均匀性控制在纳米级。
氧化硅 SiO₂、氮化硅 SiN、氧化钛 TiO₂等介电层，全部支持低温保形沉积。
多重图案化间隔层 Spacer；
栅极侧壁隔离层、刻蚀阻挡层；
接触孔衬里、浅沟槽隔离 STI 填充。
栅极堆叠 SiN/R-Pad 氮化硅；
高深宽比沟道氧化层间隙填充；
垂直栅极绝缘衬里。
硅通孔 TSV 绝缘衬层、晶圆键合隔离介质层。
