全称：Endura® 超高真空多腔体集群式单片晶圆工艺平台行业地位：全球半导体史上最成功的金属化 PVD 物理气相沉积量产平台，全球累计装机超4500 台，过去 20 年绝大多数芯片的金属互连层都由该平台制造，是前道金属工艺绝对标杆设备。

Endura整机内部真空腔布局

核心区分（和 Producer GT 本质差异）

• Endura：主打超高真空 PVD 溅射（金属 / 阻挡层），超高真空环境（10⁻⁷~10⁻⁹ Torr），用于导电金属薄膜、阻挡层、籽晶层沉积；

• Producer GT：主打PECVD 介质绝缘层沉积，中低真空，做氧化硅、氮化硅、低 k 介电层等绝缘膜；二者同属 AMAT 集群式平台，但工艺赛道完全互补，12 英寸产线成对标配。

二、整机硬件架构（分级真空集群）

经典同心圆式中央传输架构，四级真空逐级隔离，杜绝大气污染薄膜，最多可搭载9 个独立工艺腔，支持多工序原位连续加工，晶圆全程不暴露大气

1. 装载区 Loadlock（锁气腔）

标配双锁气腔，FOUP 晶圆盒上料，预抽真空，实现大气↔高真空快速切换，不打断主机连续生产，大幅提升稼动率。

2. Buffer 缓冲真空腔

过渡真空区，隔离锁气腔波动，稳定主机本底真空，保护核心传输腔超高真空环境。

3. 中央超高真空传输腔 + 多臂机械手

同心圆布局，单机械手可在多个工艺腔间高速传片；全程维持超高真空，是铜互连、钴金属化不能氧化的核心保障。

4. 可自由选配工艺腔模块（核心优势）

支持混装多类功能腔，原位完成多道连续工序，典型组合：

1. 预清洁腔：氩离子溅射刻蚀，去除晶圆表面原生氧化层（Ti、Cu 极易氧化，必须原位清洁）；

2. PVD 溅射腔（主力）：Ti、TiN、Ta、TaN、AlCu、W、Co、Cu、Ni、Ag 等金属 / 金属氮化物溅射沉积；

3. CVD 铜籽晶腔（Volta 系列）：先进铜互连 CVD Cu 籽晶层沉积；

4. MOCVD 腔、退火腔、冷却腔：选配扩展。

单台机可一次性完成「预清洗→阻挡层沉积→金属籽晶沉积→冷却」全套堆叠工艺，不用中转多台设备，良率与产能大幅提升。

三、核心工艺能力（PVD 为主）

1. 经典金属互连工艺（成熟制程主力）

• 铝互连：AlCu、AlSiCu 厚铝布线（8 英寸功率器件、MEMS、CIS）；

• 铜互连：Ta/TaN 阻挡层 + Cu 籽晶层，7nm~28nm 逻辑芯片主流方案，Endura Volta 专属铜互连平台垄断全球市场。

2. 先进接触层金属化（FinFET/GAA）

Co、TiN、W 金属接触孔阻挡层 / 粘附层沉积，降低接触电阻，适配先进逻辑器件。

3. 特色 & 先进存储专属衍生版本

1. Endura Clover MRAM 专用平台原子级精准多层磁性薄膜堆叠沉积，原位完成清洁、多层磁膜连续沉积，是 MRAM 量产唯一主流设备；

2. Endura Impulse相变存储 PCRAM、阻变 ReRAM 特种硫系化合物薄膜高精度溅射；

3. TSV 硅通孔、先进封装 UBM 凸点下金属化厚 Al、Ti/Ni/Au 凸点金属层沉积，Fan-out、2.5D 封装标配。

4. 第三代半导体适配

可升级透明晶圆传输套件，适配 SiC、GaN 功率器件背面金属化、欧姆接触层溅射，新能源车功率器件产线大量导入。

四、关键技术优势

1. 超高真空原位集成，杜绝金属氧化铜、钴、钛等活泼金属一旦接触大气快速氧化，多层堆叠必须单台机内连续完成，Endura 分级真空架构是量产刚需，竞品难以替代。

2. 台阶覆盖率 & 膜厚极致均匀高深宽比通孔 / 沟槽底部覆盖率优异，膜厚控制精度可达 0.1nm 级别，整片晶圆厚度均匀性≤±1%，适配 7nm 及以下先进制程。

3. 超长量产验证，稼动率极高30 年迭代成熟，全球海量装机，备件生态完善，成熟产线稼动率稳定 95% 以上，晶圆厂首选设备。

4. 多尺寸兼容原生支持 150/200/300mm（6/8/12 英寸）晶圆，老产线改造复用性极强。

五、市场格局 & 国产化现状

1. 全球垄断格局

300mm 先进制程 PVD 设备 AMAT 市占率>85%，Endura 平台一家独大；200mm 成熟线同样占据绝对主导，无海外直接竞品能全面对标。单机全新售价千万美元级别，属于前道高价值核心设备。

2. 国产替代进度

• 8 英寸成熟 PVD：北方华创、中电科装备已推出同架构集群式 PVD，逐步导入功率器件、MEMS 产线验证；

• 12 英寸先进铜互连 PVD：国产设备仅小批量客户送样验证，超高真空腔体、高精度机械手、射频电源、磁控溅射源全套核心零部件仍有明显技术壁垒，替代周期更长。