完整手册全称：Applied Endura® EnCoRe™3 HT PVD Ta(N) Chamber Manual
文件属性：AMAT 内部机密（Confidential）原厂设备操作 / 安装 / 维护手册，PDF 大小 9.99MB
适配平台：Endura 300mm 集群 PVD 平台，专用 Ta/TaN 阻挡层高温溅射腔体
EnCoRe3 HT = High Temperature 高温型自电离等离子 SIP 磁控溅射腔体，专门用于铜互连工艺Ta/TaN 阻挡层薄膜沉积，配套 Cu 种子层腔体组成 CuBS 铜阻挡 - 种子完整工艺模组，适配 14nm/7nm 先进逻辑、DRAM 量产。
HT：内置高温高精度晶圆加热器，衬底工艺温度区间大幅拓宽；
EnCoRe 第三代：迭代自 EnCoRe/EnCoRe II，优化磁体运动、等离子电离效率、台阶覆盖能力。
不靠外置 RF 等离子源，仅依靠 Ta 靶直流溅射产生高密度 Ta 离子自轰击靶材：
电离度远高于常规直流 PVD，深孔 / 高深宽比通孔侧壁、底部台阶覆盖（Bottom Coverage）显著提升；
TaN 薄膜通过通入 N₂反应溅射原位生成，薄膜致密、电阻率可控、Cu 扩散阻挡能力极强；
HT 高温基座可调控薄膜应力、晶粒取向，适配 low-k 低 k 介质互连工艺窗口。
