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Lucida M 系列（以 M200 为准）核心参数（适合 L‑ALD 电解质）
类型：等离子体增强 ALD（PEALD），支持含锂前驱体
基片尺寸：150 / 200 / 300 mm 晶圆
温度：25–450 ℃（±0.2 ℃），兼容低温 LiPON/LLZO
前驱体：3 路标准 + 2 路加热源（最高 150 ℃），适配 Li (tmhd)、TMA、H₂O、NH₃、O₃
均匀性：＜±2%（晶圆级）
沉积速率：≈0.1 nm / 循环（原子级）
真空：10⁻⁶–10⁻³ Torr
腔室：双喷淋头（Dual shower‑head），保形覆盖＞100:1
控制：PC 全自动，支持L‑ALD 配方编程（LiPON、Al₂O₃ 界面层）
LiPON 电解质薄膜（30–500 nm）：离子电导率 10⁻⁶–10⁻⁴ S/cm，** 低温（＜200 ℃）** 沉积，适配柔性基底
Al₂O₃ 界面修饰层（1–5 nm）：降低界面阻抗 90%+、抑制锂枝晶
LLZO 超薄层（100–500 nm）：提高离子电导，替代部分液态电解质
锂负极保护层：ALD Li₂O 层，防氧化、防枝晶穿刺
