德国爱思强（AIXTRON）是全球 MOCVD 设备双寡头之一（与 Veeco 并列），以行星式反应器（Planetary Reactor®）为核心技术，主打高均匀性、高量产、低缺陷，覆盖LED、功率半导体、光通讯、SiC/GaN全品类外延！
结构：水平层流 +多行星旋转（托盘自转 + 公转），气浮轴承，无机械磨损
气流：近耦合喷淋头（CCS），径向均匀分流，界面陡峭、均匀性极致。
加热：射频感应加热 + 多区控温，最高1400℃，适配 AlN/SiC 高温外延。
原位监控：Laytec EpiTT/EpiCurveTT、ARGUS（温度 mapping）、EPISON（MO 浓度）。
| 参数 | G10‑GaN | G5+ C | 2800G4‑TM |
|---|---|---|---|
| 晶圆尺寸 | 8 寸（5×200mm） | 8 寸（5×200mm） | 6 寸（8×150mm） |
| 生长温度 | 1000–1300℃ | 950–1250℃ | 950–1150℃ |
| 产能（片 / 天） | ~250（8 寸） | ~180（8 寸） | ~120（6 寸） |
| 波长均匀性 | ±0.8nm | ±1.0nm | ±1.5nm |
| 缺陷密度 | <0.05/cm² | <0.1/cm² | <0.5/cm² |
| 核心应用 | 功率 GaN、车规 | Micro LED、GaN‑on‑Si | 蓝 / 绿 LED、Mini LED |
