LPE（Liquid Phase Epitaxy，液相外延）是 SiC 外延的一种低温、近平衡生长技术，核心特点是生长温度低、缺陷少、成本潜力大，但目前尚未大规模商用，与主流的MOCVD/HT-CVD形成互补路线。
原理：在石墨坩埚中放入硅熔体（Si），高温下石墨溶解提供碳源（C）；将4H-SiC 籽晶浸入 / 接触熔体表面，在1400–1800℃、近平衡条件下，SiC 在籽晶表面固相外延生长。
关键：碳在硅中溶解度低，常加Ni、Ti、Cr等金属助溶剂提升溶解度，但会带来金属污染风险
| 对比项 | LPE（液相外延） | HT‑MOCVD（高温 CVD） |
|---|---|---|
| 温度 | 1400–1800℃ | 1500–1650℃ |
| 生长速率 | 1–5 μm/h | 0.5–2 μm/h |
| 缺陷密度 | 极低（BPD≈0） | 低（BPD 10²–10³ cm⁻²） |
| 掺杂均匀性 | 一般 | 优秀（±1%） |
| 表面粗糙度 | 较高 | 低（原子级平整） |
| 设备成本 | 低 | 高（真空、气路、SiC 涂层） |
| 量产能力 | 实验室 / 小批量 | 6 寸成熟、8 寸导入 |
| 典型应用 | 高可靠功率、车规、航空 | 商用 SiC MOSFET/IGBT |
日本住友（Sumitomo）：LPE 技术领头羊，MPZ（多参数区域控制）技术，无 BPD、DFA 99%，已6 寸量产，8 寸研发中。
江苏集芯：2025 年国内首枚8 英寸 LPE‑SiC 单晶出炉，填补国内空白。
日韩（古河、LG）：实验室阶段，未商用。
