MOCVD（金属有机化学气相沉积）是制造 LED、半导体及显示器核心外延层（如在蓝宝石晶圆上生长 GaN 层的关键设备）的核心系统。 GDP（Gas Distributed Plate，气体分配板）负责将烷基源（Alkyls, 如 TMG/TEG）与氢化物源在隔离状态下送入 1100℃~1200℃ 的高温反应室中进行化学反应。
传统 GDP 多采用整体（1-Piece）材料进行单一机加工（如深孔钻、线切割、放电加工等），导致气流通道形状受限，无法对气体的流速、压力和流量进行独立、自由的控制。
传统线切割贯通加工会产生不需要的切口，容易引发气体泄漏，需额外增加支撑板进行补强。
本技术打破传统单一机械加工的限制，创新性地采用“多模块拼接 + 5步真空钎焊（Vacuum Brazing）”工艺，提高设计自由度，实现对工艺气体的独立精确控制。
微型化验证（Miniature Production）：
在正式制造大尺寸原型机前，先制作了 Miniature 样品，成功验证了 5 轴机加工精度、5 步真空钎焊工艺、气密性及尺寸收缩率。
5 步真空钎焊工艺（5-Step Vacuum Brazing）：
采用分步阶梯式降温/分级钎焊（从 $1055^\circ\text{C}$ 逐级降至 $1035^\circ\text{C}$），在由 48 个独立精密模块（Body 44 pcs 等）构成的复杂结构中，有效避免了累积公差和热应力变形。
结构优化与仿真（由仁荷大学协助）：
通过多款设计方案的流体动力学（CFD）仿真，优化了气体出口形状（如 Round、Cone 等）和缓冲区域，使反应气流在进入高温反应室前保持极佳的平稳性和分布均匀度。
核心技术规格：
