随着半导体、LED、太阳能（硅材料）等先进主导产业的规模化发展，以及高温和腐蚀环境的应用需求，具有优异耐腐蚀性、耐热冲击性能和高纯度（5N 等级）的碳化硅材料及其涂层技术需求正在急剧增加 。
核心零部件以及专用的 CVD 涂层设备大多依赖进口，来自国外（如美国、日本等国家和地区），因此加快国产化进程至关重要 。
主要技术内容：
建立能够应对各种工艺条件的 SiC 用 CVD 合成装置试验工厂，通过热流体动力学分析以及气相沉积模型的研究，实现系统优化，并开发出适合大规模生产的模型。
为 SiC 化学气相沉积工艺设计的试验工厂系统设计与制造
利用商用软件进行热流与气体流动分析，并建立气相沉积模型 。
针对温度均匀性、涂层厚度、沉积厚度均匀性等关键性能指标，开发了实际生产过程中的评估模型。
研究了沉积温度及反应压力变化对微结构（如佩블态、佩希特态等）与沉积速率之间关系的影响 。
对大面积的 SiC 盘状材料以及 C/SiC 复合材料进行了涂层测试。结果表明，通过纯 SiC 沉积工艺以及热冲击处理，可以制备出稳定的涂层。在大面积涂层的情况下，厚度偏差控制在pm6\% 以内（目标为pm10\%以内）。
分析与设备设计：利用 CFD-ACE+等软件进行热/气体流动分析，以预测腔体内的温度分布和气体流动情况。同时，我们还制造并安装了包含 MTS 原料供应系统、排放口后端的捕集系统以及废气中和系统在内的试验装置硬件设备。
温度均匀性评估：在作业区内的 15 个地点进行了 1300℃温度均匀性评估。结果显示，中心部位的温度偏差在 2°C 以内，边缘处的偏差在5°C以内。因此，整个作业区的温度均匀性满足目标值 7°C 的要求，偏差为 。
SiC 表面涂层工艺评估：
研究了沉积温度及反应压力变化对微结构（如佩블态、佩希特态等）与沉积速率之间关系的影响 。
对大面积的 SiC 盘状材料以及 C/SiC 复合材料进行了涂层测试。结果表明，通过纯SiC沉积工艺以及热冲击处理，可以制备出稳定的涂层。在大面积涂层的情况下，厚度偏差控制在6%$以内（目标为 10%以内）。
