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高速 MC-Si 多晶硅薄膜薄膜沉积设备的研发-141页
首页 >半导体设备资料 >晶圆制造:镀膜-PVD-CVD 2024-01-31 报告错误错误问题可与客服联系,感谢您的支持! [上传图纸即可免费下载] 觉得本站不错记得分享给好友哦! 0
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图纸预览图
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资料描述

主要目录和开发内容


    • 高速沉积的 HDP 等离子体源的基础研究,同时完成了 8.5 吉赫频率的腔室详细设计  

    • 对 HDP 等离子源的特性进行了分析,并完成了样品的制造与性能改进;同时,还制造出了 8.5G 大尺寸的反应室,并对等离子体的均匀性进行了评估  

    • 通过初步产品测试,确认了 mc-Si 薄层工艺的工艺特性。目前正在研发大面积、高密度的等离子体电极,并优化相关工艺  

    • 实现了 4.8%的大面积薄膜均匀度提升,沉积速率达到 26.82 Å/秒,树立了全球最高水平的质量和沉积速率标准。

    • 应用领域:太阳能电池、半导体、液晶显示器等相关行业