空间分割式 ALD 系统的构建：成功研发了能够容纳多块 300 毫米晶圆（最终共 6 块）的空间分割式 ALD 工艺设备。该设备采用高速旋转和平面移动的方式来实现晶圆的加工，取得了显著成效。
确保工艺性能与批量生产的可行性：
为了应对 10 纳米以下的微电子器件开发需求，采用了低温沉积技术，最终实现了 50℃~60℃的沉积温度条件。
实现了不损伤多层膜结构（如 SOC、ACL、PR 等）底层的技术——零损伤技术 。
持续提升生产效率指标“Throughput”的水平，实现第三次年度目标（达到 110 张/人小时以上），确保持续保持高水平的生产效率。
恒温冷热传感器装置的研发：
开发了一种能够同时精确控制 300 毫米晶圆 6 片组成的组件的装置。
通过加热和冷却过程的有机控制，使表面温度的均匀性以及温度控制的精度达到了在第三个年度内不超过±0.5℃的水平。
采用针对三聚氰胺气体的防腐蚀涂层技术，同时具备真空泄漏防护能力（泄漏率低于 1×10⁻⁸毫巴/秒），从而确保了产品的可靠性。
低温催化 ALD 二氧化硅工艺及催化剂优化：
利用离散傅里叶变换（DFT）技术，开发出一种新型催化剂 Et₃N（三乙胺），它能够解决传统催化剂（吡啶）存在的胺盐生成以及杂质问题。通过优化工艺过程，可以进一步提高催化剂的性能。
通过新型硅前体物质（如 Si₃Cl₈等）和新型催化剂组合，开发出了在低温环境下仍能保持优异的沉积性能，且台阶覆盖率高达 97.7%以上的 SiO₂薄膜形成技术。
