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10 代高密度等离子体干式镀膜设备的核心技术研发72页
首页 >半导体设备资料 >晶圆制造:光刻-显影-刻蚀-热处理 2024-01-31 报告错误错误问题可与客服联系,感谢您的支持! [上传图纸即可免费下载] 觉得本站不错记得分享给好友哦! 0
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图纸预览图
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资料描述

主要的技术内容

  • 高密度等离子体源与天线技术:

    • 为 10 套干式贴面设备设计了大面积的天线源分配方案,采用了高容量电源供应技术,并优化了用于大型陶瓷窗口的盖子结构设计,以确保设备的性能达到最佳状态。

    • 等离子体密度达到以上,等离子体均匀性控制在 15%以下,达到目标。

  • 这种热膨胀断路开关技术:

    • 开发的电源模块尺寸为 2,200×2,500 毫米,具有高效的冷却性能,同时具备防止氦气泄漏的屏蔽结构(在 5 千伏电压下,泄漏电流不超过 0.1 毫安)。

  • 工艺技术(以 SiO₂刻蚀为基准):

    • 10 代工艺技术的目标:刻蚀速率超过 3000 Å/分钟,刻蚀均匀度低于 8.5%

  • 等离子体诊断系统:

    • 实现了基于非对称等离子体发射光的大面积定向结合等离子体空间均匀性诊断技术(光刻诊断系统,空间分辨能力可达 1 厘米以内)。