随着半导体技术向“More than Moore”方向发展，TSV技术通过在硅片上打孔并填充铜，实现了芯片的3D堆叠，能够显著提高集成度、提升速度并降低功耗。TSV是下一代高性能、低功耗移动存储及服务器芯片的核心技术，但大多依赖进口设备与电镀药水。
TSV工艺中电镀填充是关键步骤，需解决高深宽比（7:1）下的空洞（Void）和缝隙（Seam）问题。
基础电解液优化：确定了硫酸铜（作为铜源）、硫酸（增加导电性）、氯离子（协同反应）的比例，并通过 Hull Cell 测试确保了在不同电流密度下电镀膜层的均匀性。
添加剂研究：
加速剂 (Accelerator, 如 SPS)：主要作用于底部，提升底部沉积速率。
抑制剂 (Suppressor, 如 PEG)：优先吸附在孔口及表面，抑制侧壁沉积，防止孔口过早封闭。
整平剂 (Leveler, 如 JGB)：用于细化晶粒，改善表面平整度，减少表面凸起。
工艺优化：
阳极选择：选定含磷铜阳极 (CuP)，因其低电压工作效率、铜离子供应稳定及成本优势。
前处理：增加了 Pre-dip（润湿预处理）步骤，解决了孔内亲水性不足导致的底部未填充缺陷。
电流控制：通过对比实验，选定了最优的直流电镀电流密度（0.25 A/dm²），有效避免了因电流过大导致的孔口快速封闭和内部空洞问题。
