随着移动设备向轻薄化、高性能化发展，PCB线路（L/S）微细化需求激增，传统的化学镀铜工艺因种子层（Seed Layer）厚度限制已无法满足微细线路的形成。PCB细线路形成的干法种子层溅射设备，以取代传统的化学镀方式。该设备需通过串联（In-line）结构实现脱气、预清洗（Pre-cleaning）及金属薄膜溅射的连续工艺。
设备构成：采用Multi-Chamber In-line溅射系统，主要包括装载/脱气室、预清洗室（ICP-RIE/Ion Beam）、金属溅射室（Ti/Cu）。
关键技术：
预清洗技术改良：原采用ICP-RIE方式，但因In-line设备中电极热控制和偏压电源供应变更为Ion Beam前处理技术，以确保薄膜密着力。
结构优化：为处理大面积（510x405mm）PCB基板，采用了特殊的夹具与输送技术，并在溅射室中设置了隔板以防止Ti/Cu相互污染。
热控制：为防止在溅射过程中基板变形，应用了冷却系统，确保工艺过程中基板温度不超过60℃。
主要性能指标：
SiO2刻蚀厚度：Ion Beam前处理方式达到168Å。
薄膜厚度均匀度：金属薄膜沉积均匀度为5.8%（目标值10%以下）。
Particle控制：1.5μm以上异物数量控制在36个（目标值40个以下）。
密着力：在Ti 40nm/Cu 200nm沉积后，经电解镀铜测试，粘附力达到0.595kgf/cm（目标值0.6kgf/cm，基本达成）。
