在制造GaN等氮化物LED时，通常需要在异质基板上进行外延生长。传统上多采用MOCVD法生长低温GaN（LT-GaN）缓冲层。若能将缓冲层沉积工艺由MOCVD替换为Sputtering（溅射）方式，不仅能显著减少缺陷、提升晶体质量，还能省去MOCVD中的热清洗和低温缓冲层生长步骤，从而将LED生产效率提高约13.9%。
大尺寸晶圆的Full Auto AlN缓冲层溅射量产设备，实现核心装备的国产化，并同步优化高品质（低缺陷）GaN及外延生长工艺。
大尺寸自动化溅射系统（Full Auto Sputter System）：
开发了支持300mm晶圆ホルダー（Holder）、具备3个Process Module（PM）及Load Lock、Pre-Clean、Cooling模块的量产级系统。
引入了旋转式磁控源（Moving Magnet）及优化的靶材-基板间距，确保了大面积薄膜厚度的高均匀性。
高温与混合电源控制技术：
开发了最高支持800℃的高温加热器（Heater）及其温度均匀性控制技术。
采用了RF与DC功率混合及独立使用（Hybrid Power Control）的技术方案，有效防止了Ar离子过度蓄积，兼顾了薄膜的高沉积极率与高质量结晶性。
N2等离子体前处理工艺：
在Pre-Clean模块中引入了 N2 气体环境下的等离子体前处理，有效改善了基板表面的氮化状态，为后续高质量外延层生长奠定了基础。
核心量产指标达标：
晶圆内（Within wafer）厚度均匀性达到 2.43%（目标 $\le\pm3\%$）。
晶圆间（Wafer to wafer）厚度均匀性达到 2.97%（目标 $\le\pm3\%$）。
AlN表面粗糙度（RMS）仅为 0.18 nm（远低于目标 $<1\text{ nm}$）。
