传统的电容耦合等离子体化学气相沉积（CCP-PECVD）由于上下电极结构会产生垂直方向的电场，导致离子轰击（Ion Bombardment）效应，在成膜时容易产生缺陷并引发电弧（Arcing），且大多依赖进口。
核心创新（局域空间等离子体技术, Local Space Plasma / LSP）：
水平电场结构：研发了世界首创的局域空间等离子体（LSP）新技术，使电场相对于沉积面呈水平方向形成，消除了离子轰击引发的缺陷和电弧问题。
无缺陷与高生产率：由于实现了 Arc-free（无电弧）并大幅降低了微粒（Particle）污染，非常适合AMOLED（包括玻璃基板和塑料柔性基板）的高性能无机薄膜封装。
6世代大面积设备的软硬件及工艺：
6世代大面积PECVD设备与工艺优化：成功开发出6世代大面积PECVD腔体及工艺，各项定量指标完全达标甚至超越预期（如平均缺陷密度仅 $0.005\text{ea}/\text{mm}^2$、光透光率 90.42%超目标、水汽透过率(WVTR)低于 $5\times10^{-7}\text{g/m}^2\text{day}$）。
薄膜封装评价与缺陷检测：利用电容（Capacitance）测试和水汽渗透原理，开发了非光学的薄膜缺陷及水汽渗透检测方法。
大容量液体源输送系统（LDS）（Lake Materials）：开发了可稳定提供 $150\text{g/min}$ 气化量及正量供给的大容量 LDS，满足6世代量产需求。
高精度掩膜对准系统（Mask Aligner）（Pico&Tera）：开发了针对柔性面板的对准系统，对准误差控制在 $5\mu\text{m}$ 以内，节拍时间（TACT）表现优异。
长寿命金属掩膜（Metal Bar Mask）制造（丰元精密）：采用无光刻（Photolitho-less）激光直写及化学蚀刻工艺，去除了切割面毛刺（Burr），实现了高精度、长寿命的掩膜制造。
