背景：随着半导体器件向10nm及以下节点的高集成化发展，行业需要减少热暴露时间和实现薄膜化。同时，为了提高单片晶圆的芯片产出量并降低成本，业界亟需引入450mm（18英寸）大口径晶圆制造设备。
开发适用于450mm大口径晶圆的单片式低压热化学气相沉积（LPCVD）设备，并同步开发高质量的氮化硅等薄膜成膜工艺，以满足量产化指标。
设备与硬件开发：
开发了采用多级/可变嵌段板（Tunable Block Plate）的샤Showerhead气体流动控制技术，有效优化了反应气体的喷射与扩散，从而改善了晶圆表面的厚度均匀性。
引入了AlN（氮化铝）加热器及优化的温度控制系统，实现了高热均匀性。
热与流体仿真支持：
利用仿真模拟分析了450mm反应腔内部的流体流动及加热器温度分布，为硬件设计提供了理论支撑。
薄膜表征与分析支持：
对开发的氮化硅薄膜进行了物理/化学性质（如厚度均匀性、折射率、成分比、表面粗糙度等）的精密测试与综合评估。
工艺指标：攻克了大尺寸化带来的气体均匀喷射、温度分布控制等难题，使450mm氮化硅薄膜在厚度均匀性、组分比（Si/N 约 0.75 左右）等方面达到了与现有300mm工艺相媲美的水平。
成功掌握了面向450mm次世代半导体设备的底层核心气流控制与热控技术，填补了大口径LPCVD装备领域的空白。
