资料来自APTC株式会社、SK hynix、东亚Hi-Tech内部技术资料！请慎用！
随着半导体器件持续微型化（如DRAM微缩及FinFET等3D垂直结构器件的出现），传统的Beamline（束流线）离子注入技术在处理超浅结（Ultra-Shallow Junction）和低能量高浓度掺杂时遇到了速度急剧下降、控制困难等瓶颈。
为了突破传统技术的局限，开发适用于300mm晶圆的次世代等离子体离子掺杂（Plasma Doping, PLAD）设备及核心零部件，实现关键设备的国产化，提高韩国半导体装备的国际竞争力。
等离子体源与反应腔（Plasma Source & Chamber）：实现了高密度、高均匀性的等离子体生成（Plasma Density > $1\times10^{11}/\text{cm}^3$，Uniformity < 3%）。
高电压脉冲电源（High Voltage Pulse Power System）：支持0~12kV、0~10kHz的DC脉冲发生器及调制模块，并具备防电弧（Micro-arcing）功能。
静电卡盘（Electrostatic Chuck, ESC）：攻克了铝质本体与陶瓷面板的接合技术、冷却水道设计及阳极氧化等工艺，满足晶圆吸附力与低泄漏要求。
实时剂量监控系统（Real-Time Dose Monitoring System）：通过感应脉冲电压和离子电流，实现了非侵入式的实时Dose量监控与自动停机控制。
工艺与建模研究：通过仿真模拟与实验，评估了不同掺杂气体（如 $BF_3, B_2H_6$ 等）在Si及SiGe等基板上的浅结形成、热行为及均匀性。
