本文档包含关于可流动氧化物沉积设备和工艺技术，该设备和工艺技术用于填充 30nm 或更小半导体器件的高深宽比间隙和沟槽， 且不会产生空隙 。
发展背景： 随着半导体图案的小型化和高度集成，现有的高密度等离子体化学气相沉积（HDP-CVD）、化学沉积和化学气相沉积（SACVD）以及衬底光学沉积（SOD）等技术暴露出间隙填充能力有限、薄膜密度降低以及随之而来的工艺缺陷等问题 。
关键方法：
摒弃了传统的单晶圆型成型方法，采用了一种原位循环沉积/处理方法，在该方法中，薄绝缘膜在同一腔室内多次重复沉积，并在两次沉积之间进行后处理以提高薄膜质量 。
为了克服生产率下降的问题，我们实施了半批量式设备，其中多个晶圆（5 个晶圆）在一个腔室中同时处理 。
流动绝缘膜沉积和致密化工艺的开发：
在 35nm 或更小的图案中实现 100% 间隙填充特性，无间隙 。
高温退火后收缩率达到 10% 或更低，薄膜密度优异（湿法刻蚀速率等） 。
优化硅基前驱体的开发：
设计和合成用于 STI 工艺的无碳杂质无机前驱体和用于低 k IMD 工艺的有机前驱体 。
拥有纯度超过 99.9999% 的高纯度纯化技术和大规模生产技术 。
液态前体定量输送系统（汽化器和供应系统）的开发：
开发了一种能形成细小液滴的雾化器和高效加热室，以建立稳定的汽化系统 。
通过应用流量波动预防技术实现精确的流量控制 。
指标：
间隙填充： 100%
厚度均匀性： 2.21%（目标值 3%C3%）
湿蚀刻速率： 0.15 纳米/秒（ <0.6 纳米/秒）
缩水率： 5.3%（目标 3%-10%）
生产率： 22 张/小时（目标 3020 张/小时）
