来自TES 有限公司 ：对标AMAT、Lam Research
克服小型化的物理限制 ：随着半导体电路小型化进入 10nm 阶段，出现了物理和成本方面的限制，例如光刻设备的局限性和电路之间的干扰 。
向 3D NAND 结构过渡 ：随着从 2D 平面结构向栅极垂直堆叠的 3D NAND 结构过渡，对用于蚀刻高堆叠氧化物和氮化物堆叠结构的耐蚀刻硬掩模的需求迅速增加 。
巩固国内外市场 ：通过采用高耐腐蚀性掩模膜，可以简化图案化工艺并提高生产效率。这项研究旨在确保公司在全球 3D NAND 闪存市场占据领先地位 。
高性能工艺模块的设计与制造，下一代前驱体的应用与评估，工艺控制技术及大规模生产设备的开发
用于下一代硬掩模应用的有机和无机前体的合成与提纯，并确保其纯度和物理性能
通过等离子体诊断进行工艺技术分析及后续工艺评价，制定改进方案
有机和无机前驱体性质分析、沉积行为分析及工艺窗口控制库构建
硬掩模单层/多层薄膜的结构分析和抗蚀刻性分析
刻蚀选择性 ：达到目标值 6:1 或更高 （与氧化物/氮化物刻蚀相比，具有优异的抗刻蚀性）
生产率（吞吐量） ：大规模生产设备系统性能达到每小时 65 张（wfs/hr）或更高
膜密度和均匀性 ：
薄膜密度： $1.57 \sim 1.66\text{ g/cm}^3$ 达到
晶圆内（WIW）和晶圆间（WTW）均匀性：误差小于 3%
前驱体纯度 ：基于金属基体达到 99.9999992%的纯度，并确保了储存稳定性
