用于研发的技术 ：
用于铜干法刻蚀的非温室气体刻蚀材料技术 ：合成非温室气体和新型有机配体/环状螯合剂（NOTA、DOTA 等）的技术，不包括具有高全球变暖潜能值（GWP）的现有温室气体（HFC、PFC、 SF6 等） 。
微图案刻蚀技术 ：利用高密度等离子体、脉冲调制等离子体（脉冲调制 ICP-RIE）和原子层刻蚀（ALE）等技术，开发高度各向异性精细铜线图案干法刻蚀和高选择性硬掩模（ SiO_2$等）工艺 。
铜的导电性比铝高约 40%，且电迁移较少，因此适用于超细半导体中的高速、低功耗布线 。
然而，传统的铜蚀刻工艺存在技术上的局限性，例如由于副产物挥发性低而残留物，因此主要采用大马士革工艺； 然而 ，由于超小型化的发展，出现了开发干法蚀刻工艺的需求 。
硬掩模开发 ：SiO_2硬掩模表现出优异的刻蚀选择性，成功完成了 500nm 和 300nm 图案尺寸的样品 。
电感耦合等离子体（ICP-RIE）刻蚀工艺 ：
H_2在混合气体条件下（特别是 75%H}_2 ）证实了良好的垂直各向异性刻蚀轮廓，并推导出了最佳工艺参数，如射频功率（500W）、偏置功率（300V）和工艺压力（5mtorr） 。
为了去除使用 $\text{CuCl}_x$ 和 $\text{CuBr}_x$ 混合气体时产生的金属卤化物副产物 $\text{O}_2$ ，采用丙酮有机溶剂和 等离子体后处理工艺
$\text{CH}_4/\text{O}_2/\text{Ar}$ 证实，当施加混合气体时，随着氧浓度的增加，蚀刻角度得到改善（74°），且没有铜再沉积 。
环状螯合剂的合成及亲和力评价 ：
我们通过在水溶液中使用 DOTA 和 NOTA （代表性的环状螯合剂）与铜阳离子反应 ， 成功地以 100% 的收率合成了 Cu-DOTA 和 Cu-NOTA 复合物 。
使用放射性同位素 Cu-64 进行的放射性薄层色谱评估表明，它对铜具有非常高的亲和力，在一小时内形成 100% 的络合物 。
血浆分析及机制鉴定 ：
随着 $\text{H}_2/\text{Ar}$ 等离子体中 $\text{H}_2$ 浓度的增加，进行了 OES 和 Langmuir 探针分析，并通过 XPS 表面分析 确定了刻蚀前后表面氧化物( CuO,Cu2O )的变化和化学特征 。
