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干法清洗工艺及设备开发技术:纳米图案半导体制程-114页
首页 >半导体设备资料 >晶圆处理:清洗-研磨-减薄 2024-01-31 报告错误错误问题可与客服联系,感谢您的支持! [上传图纸即可免费下载] 觉得本站不错记得分享给好友哦! 0
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资料描述
  • 开发用于优化和自动化 300mm 晶圆批量生产的超临界干法工艺的alpha单元(单片晶圆,6 片/小时)和 beta 单元(多片晶圆,30 片/小时)SCORR 系统。

    • 湿式清洗的局限性: 对于 40 nm 或更小的超精细图案,由于传统超纯水 (UPW) 和化学溶剂的表面张力较高,难以渗透到精细空间,并且在干燥过程中由于毛细作用力而发生图案粘连

    • 环境和经济问题: 大量使用超纯水和有机溶剂会造成巨大的废水处理成本和环境污染。

    • 等离子干洗的局限性: 它不能单独进行,必须与湿洗结合使用,并且由于离子碰撞,低介电常数(Low-k)绝缘体会发生图案损坏和变形。


    • 解决方案: 超临界二氧化碳(scCO₂) 2  需要一种环保节能的技术,该技术能够以低温/低压单相为主要溶剂,通过一步工艺实现无损清洁和干燥。

  • 内容点:


    • 设计和制造基于 300mm 晶圆、生产效率为 6 个/小时的自动化单晶圆alpha 单元 SCORR 系统

    • 开发高纯度二氧化碳提纯工艺(吸附工艺)以及用于分离、回收和供应大量二氧化碳的系统

    • SCORR 工艺优化及添加剂混合技术在去除 FEOL(离子注入)和 BEOL 晶圆上改性光刻胶(PR)方面的应用


    • 开发基于 300mm 晶圆、生产效率为 30ea/小时的自动化多晶圆 beta 单元 SCORR 系统


    • 开发一种能够同时转移 5 片晶圆的机器人转移系统(集成 EFEM)

    • 对大型二氧化碳回收和分离设备系统进行了改进,并进行了性能测试。


    • 将现有的两步工艺(等离子灰化+湿式清洗)简化为一步工艺(超临界干式清洗)。

    • 对于 40nm 或更小的超精细图案以及 30nm 级图案,可以实现超精密清洗和干燥,而不会出现图案坍塌或损坏。

应用领域

  • 用于 MEMS/NEMS 干燥和下一代纳米图案化半导体器件的超精密清洗和干燥工艺

  • 清洗各种精密零件和机械上的油污和细小颗粒

  • 为核电站等专业公司提供涂层和机械设备的清洗服务

  • 多孔材料和电子元件的超精密清洗