High Vacuum Conductance Process Chamber 制作技术：设计并制作了高真空流导工艺腔体，优化了化学/物理去除多晶硅时光气流分布与副产物的迅速排出，最大限度减少微粒（Particle）产生。
Center/Edge Controllable Plasma Source 开发：开发了可调节中心与边缘的等离子体源，改善了旋转对称性及半径方向的均匀度。
Multi or Dual Zone 及高速温控 Tunable ESC（静电吸盘）技术：开发了多区（Multi/Dual Zone）加热及高速度温度控制（~1°C/sec）的静电吸盘，有效提升了晶圆在超微细加工中的良率与临界尺寸（CD）均匀度。
Multi-Frequency Bias RF 技术：通过多频偏置射频技术，在 25nm 级超微细图案蚀刻中将图形与薄膜损伤降至最低。
Poly Etch 工艺技术确保：完成了针对 25nm 及 1x/4x nm 闪存（Flash）与动态随机存取存储器（DRAM）的 Floating Gate、STI、Spacer Oxide 等多晶硅蚀刻工艺评估。
