c.OXIDATOR 200 是由德国 centrotherm（森特拓姆）公司开发的一款高性能批量式高温氧化炉（High-Temperature Oxidation Furnace）。该设备主要针对碳化硅（SiC）功率器件的特殊氧化工艺而设计，同时也完全适用于常规硅（Si）材料的氧化与热处理工艺。
以下是关于该设备的核心技术特点与主要工艺应用的详细介绍：
晶圆尺寸与配置
支持最大150- 200 mm 的批量晶圆处理。
升级版 c.OXIDATOR 200 PRO 采用了更大的晶舟设计，并优化了高温出炉（卸载）机制，使整体工艺周期显著缩短，产能提升可达 50%。
超高温度支持
工艺温度最高可达 1500 °C，为 SiC 高温干氧、湿氧及各类退火提供了宽广的温度窗口，能够生长出低界面陷阱密度（$D_{it}$）和高通道迁移率的高质量氧化层。
安全与反应腔设计
采用真空反应腔，且炉管和加热元件采用内置式设计，能够安全地处理有毒及可燃性气体（如纯氢气等）。
具备优异的抗腐蚀设计，可安全地通过 DCE（1,2-二氯乙烷）起泡器引入氯气进行原位清洗（或可选配 HCl 清洗），而不会对炉门密封及排气管道造成长期腐蚀损害。
采用全非金属加热器与保温层结构，减少金属污染风险。
高温氧化工艺： 支持 SiC 及硅的高温干氧氧化、富氧/富氢湿氧氧化 反应生成水汽。
氧化后/沉积后退火（POA / PDA）： 可在NO、N_2O、NH3、CO_2 或N2气氛下进行退火，以优化SiO2-SiC 的界面态，大幅提高沟道迁移率及栅氧层的稳定性和寿命。
衬底预处理： 支持高温氢气衬底预处理。
多气相退火： 结合真空能力，可无缝衔接纯氢气或混合气体退火工艺。
