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高端光刻配套涂胶显影机206页TEL CLEAN TRACK LITHIUS
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图纸预览图
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资料描述

TEL CLEAN TRACK LITHIUS 系列是东京电子(Tokyo Electron Limited, TEL)继经典 ACT 系列之后,面向 300mm(12英寸) 晶圆厂推出的主力高端光刻配套涂胶显影机(Coater/Developer)平台。

作为半导体前道光刻工艺的核心枢纽,LITHIUS 系列自推出以来经过多代演进,已成为全球先进逻辑、存储芯片制造以及前沿光刻技术(如 EUV、High-NA EUV)不可或缺的行业标杆。

1. 核心设计理念

LITHIUS 系列的研发主要基于三大核心支柱:

  • 改进的工艺性能(Improved Processing): 提供极高精度的光刻胶涂布、显影均匀性以及严格的热处理控制,确保微细图形的 critical dimension (CD) 控制力。

  • 极短的循环周期(Short Cycle Times): 优化内部晶圆传输路径与高速机械臂调度,实现超高单小时晶圆产出率(Throughput,部分基础或演进型号可达 150+ 至 250+ WPH)。

  • 强大的网络与智能化方案(Enhanced Network Solutions): 深度集成先进过程控制(APC)、eDiagnostics 远程诊断及工厂自动化(FA)网络接口。

2. 家族主要衍生型号与演进

针对半导体工艺向更小节点不断演进的需求,LITHIUS 衍生出了多个具有里程碑意义的子系列:

  • LITHIUS Pro / Pro V / Pro-i:

    • 针对浸没式(Immersion)ArF 光刻及深紫外(DUV)工艺进行了深度优化。

    • 引入了集成量测技术(Integrated Metrology),可在机台内直接对晶圆进行关键尺寸或膜厚测量,实现闭环 APC 调节。


  • 锂离子 Pro Z:  

    • 专为 10nm 及更先进节点(如 7nm、5nm、3nm 及以下) 打造的旗舰型号。

    • 具备极强的工艺灵活性,完美匹配多重图形曝光(SADP/SMDP)及 EUV 光刻流程。

  • LITHIUS Pro DICE / Pro DICE™:

    • 专为迎接 High-NA EUV(高数值孔径极紫外) 时代以及尖端图形化需求而开发的最前沿系统,近期已被全球顶尖纳米级研发中心(如 NY Creates / Albany Nanotech 等)引入,用于支撑 sub-1nm 级别的芯片技术创新与研发。


  • 锂离子专业版 AP:  

    • 将 LITHIUS 系列的核心技术延伸至先进封装(Advanced Packaging)及异构集成等关键半导体制造环节,有效提升封装良率与生产效率。

3. 核心技术优势

  • 革命性的缺陷控制(Defect Control): 针对先进制程中极易导致良率崩塌的微观缺陷,LITHIUS 采用了优化的喷嘴设计、高效的流场/排气控制以及化学品过滤循环系统,使光刻胶涂布及显影相关缺陷率较早期机型大幅下降(可减少 50% 以上)。

  • 高效的模块化架构(Modular Architecture): 采用紧凑的上下多层堆叠结构(Process Stack / Thermal Block / Carrier Block),在大幅缩减洁净室占地面积(Footprint)的同时,允许晶圆厂根据实际工艺需求(如匀胶 COT、显影 DEV、抗反射层 BCT、HMDS 处理等)进行高度定制与扩展。