参数项
技术指标
适配晶圆
φ8~12 英寸（200/300mm）
整机尺寸
W1750 × D3525 × H1978 mm
主机重量
11000 kg
磨轮规格
φ300 mm 金刚石砂轮
磨轮主轴
11 kW，最高 3600 rpm
工件主轴
650 rpm
极限减薄厚度
最低 20 μm
单片总厚度差 TTV
≤0.5 μm（自动 TTV 补偿开启）
片间厚度差 WTW
±0.5 μm
吸盘定心精度
≤0.5 mm；晶圆缺口角度定位≤0.5°
配套 RM3000 贴膜模组（RM 后缀标配）
- 尺寸：W1500 × D4250 × H1800 mm，重量 1600 kg
- 最大切割膜卷 φ230 mm，膜宽 430 mm
- 贴膜、撕膜、晶圆预定位一体化自动上下料
三、核心结构优势（高刚性核心设计）
1. 三角对称导轨刚性架构加工点位于三角形滑轨中心，进给轴垂直布置在磨削点位上方，磨削负载下整机变形极小，抑制颤振，保证超薄晶圆平面度。
2. 干式无浆料研磨（Slurry less）仅金刚石砂轮机械研磨，无需化学研磨液，降低污染、简化废水处理，直接实现镜面效果。
3. 三段式研磨工艺集成同一台设备完成粗磨→精磨→超精镜面磨，三道工序连续自动化：
三道研磨损伤层对比
- 粗磨 #325：去除速率 10 μm/s，损伤层≈8 μm，快速去除厚基材
- 精磨 #2400：去除速率 3 μm/s，损伤层≈2.7 μm
- 超精磨 #10000 高目数：去除速率 0.25 μm/s，损伤层仅 0.1 μm，直接镜面，大幅减少后续抛光工序
四、产能与工艺节拍（标准量产条件）
单晶圆完整流程（粗 + 精 + 超精 + 自动搬送）总周期约 102 秒，理论产能：UPH≈35 片 / 小时单段工序耗时：粗磨 82s、精磨 82s、超精磨 82s，各工序自动修整 20s，上下料搬送 85s。
五、适用加工材料与场景
1. 硅晶圆（逻辑 / 存储 / 功率 IC）3D IC、SiP、Fan-out 先进封装超薄减薄，满足 50μm、20μm 薄片量产。
2. 第三代半导体硬脆基板SiC 碳化硅、GaN 氮化镓、AlN 氮化铝功率器件晶圆减薄，硬脆材料低裂纹加工。
3. 光学衬底蓝宝石、玻璃基板背面镜面研磨。
