以下是该报告的主要技术要点总结：
随着半导体工艺向5nm以下超微细化发展，蚀刻腔体环境变得更加严苛。传统的氧化钇（Y2O3）材料在新的工艺气体环境下存在颗粒（Particle）污染问题，因此产业界对具备更高等离子体耐受性的YAG（钇铝石榴石）基材料需求迫切。
实现99.6%级高密度YAG气体注入器（Gas Injector）的技术。
高纯度YAG合成与造粒：
通过高纯度YAG合成工艺，开发出适合国产化的YAG颗粒化技术。
通过优化浆料条件（固含量、分散剂、粘结剂）和喷雾干燥（Spray Dryer）工艺，成功实现了月产250kg、年产3吨以上的颗粒量产工艺。
高密度成型与烧结技术：
开发了高密度成型与烧结工艺，通过冷等静压（CIP）和HIP（热等静压）烧结，解决了材料的致密化问题。
成功制备出相对密度达到99.7%以上的高密度YAG块体（Bulk）材料。
性能优化与国产化：
通过改善粉碎工艺（如优化球磨介质），显著降低了锆（Zr）等杂质含量，提升了材料纯度（达到99.93%以上）。
开发了针对YAG材料的特殊加工技术，以解决高硬度陶瓷材料在加工过程中产生的裂纹问题
