ITO是透明导电氧化物（TCO）的核心材料，但铟资源稀缺供应不稳定。因此，开发铟减量材料及替代技术迫在眉睫。
开发“清洁低温湿式法”和“等离子体法”两种原位生产技术，实现铟减量纳米粉体（IZTO等）的中试（Pilot scale）生产，并将其应用于触摸屏及显示器件的透明电极。
清洁低温湿式法：通过水系溶剂进行合成，避免了废弃物产生，实现了250℃以下的低温热处理，在提高粉体纯度的同时降低了能耗。
等离子体法：利用高温高焓热流（3,000K以上）进行干式合成，能够使SnO₂和ZnO等掺杂物质固溶于In₂O₃中，成功制备了In含量最高降低60 wt%的IZTO纳米粉体。
性能指标：项目成功实现了以下量产及性能目标：
铟减量率：≥ 10 wt%
粉体粒径：≤ 20~50 nm
生产效率：达到0.8 kg/hr 或 kg/batch
透明导电膜：电阻 250±100 Ω/□，透光率 ≥ 90%
