随着高性能功率半导体（Power Device）需求增加，生产工艺对深结（Deep Junction）和长时间扩散处理的需求提高。
晶圆容量： 每管150片（200mm晶圆）。
温度控制： 能够实现 1250°C ±0.5°C 的高精度温度稳定性。
热平坦区（Flat Zone）： 确保了 1000mm 的均匀加热区域。
设备可用性（Up Time）： 达到了 95% 以上。
颗粒控制（Particle）： 保持在 20ea 以下。
工艺优化： 开发了厚度为 1000~2000Å 的薄膜工艺，均匀度（Uniformity）优化至 ±3% 以内。
核心技术： 采用了5区（5-Zone）温度控制系统、SCR控制方式，以及“B”型热电偶（Thermocouple），实现了高精度的温度管理。
软硬件自主开发： 自主开发了基于InTouch的设备运行程序，支持自动化的装载/卸载系统（Full Automation Loading System）。
安全与效率： 开发了防止加热器线圈下垂（Sag）的检测系统，以减少设备故障并提高运行效率。
成本竞争力： 实现了70%以上的零部件国产化率，并通过同一炉管内同时进行退火（Anneal）和氧化（Oxidation）工艺，显著降低了客户的初始投资成本。
