SurfaceScience Integration (SSI) Solaris 75/100 是一款应用广泛的快速热处理 (RTP) 系统，主要面向半导体研发和预生产环境。 它是一款手动装载的单晶圆处理设备，能够实现精确的高温热循环。
基片处理： 设计用于手动装载尺寸从小型到直径达 100 毫米（4 英寸）的晶圆。
温度范围： 可在室温至 1250°C 的温度下运行 （某些配置可达 1300°C）。
加热机制： 采用一组高强度石英卤素灯（通常为 13 个灯），分别位于晶圆的上方和下方，以确保均匀加热并最大限度地减少温度梯度。
腔室环境： 采用高纯度半导体级石英腔室，配备镀金反射器，以最大限度地提高加热效率并延长灯管寿命。
气体控制： 支持复杂的气体气氛控制，通常可容纳多达四个质量流量控制器 (MFC)，用于涉及氮气 (N₂) 的工艺。 2 ），氧气（ O 2 ）、氩气（ $Ar$ ）和成型气体（例如， 10%H₂） 2 /90%N 2 ).
控制界面： 配备基于图形用户界面的软件，可进行配方管理、数据记录和高级 PID 温度控制，从而实现高重复性。
Solaris 75/100 具有高度多功能性，可在单个系统中实现各种热处理工艺：
离子注入激活： 加热晶圆以修复晶格损伤并对掺杂剂进行电激活。
快速热退火（RTA）： 适用于硅和化合物半导体的通用退火工艺。
硅化物形成： 制备用于低电阻触点的金属-硅化合物。
快速热氧化（RTO）和氮化（RTN）： 生长薄而高质量的介电薄膜。
接触合金化： 改善金属与半导体材料之间的电界面。
