客服
centrotherm 公司c.OXIDATOR氧化器高温氧化炉两份资料:144和188页
首页 >半导体设备资料 >晶圆制造:光刻-显影-刻蚀-热处理 2024-01-31 报告错误错误问题可与客服联系,感谢您的支持! [上传图纸即可免费下载] 觉得本站不错记得分享给好友哦! 0
51
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
资料描述

c.OXIDATOR 系列(例如 c.OXIDATOR 200)是一款专用的高温氧化炉,主要用于碳化硅(SiC) 加工,但也能够处理硅片氧化。  

关键技术能力:


  • 高温运行: 最高温度可达 1500°C,这对于 SiC 的热氧化形成高质量的  SiO₂至关重要。 2  层.  

  • 工艺通用性:


    • 氧化: 支持干式氧化(   O 2  )和湿式氧化(   O 2  /H 2  或蒸汽)。  


    • 退火: 可在   $NO$ 、   $N_2O$ 、   等气氛中进行氧化后/沉积后退火(POA/PDA) NH3 3  或   N 2  为了改善   $SiO_2/SiC$ 界面质量(降低界面陷阱密度并提高通道迁移率)。  


    • 预处理: 高温   H 2  底物预处理。  


  • 安全性和设计: 专为安全处理有毒和易燃气体(例如退火中使用的气体)而设计。   它配备真空反应室,并经过精心设计,可实现出色的温度均匀性。  


  • 吞吐量和自动化: 它支持最大 200 毫米的晶圆尺寸,并提供全自动晶圆处理(盒到盒)选项,以满足研发和大批量生产环境的需求。