这是一台先进封装C2W&W2W混合键合/热压键合设备！保留了主机部分，chip和wafer上料为业界标准做法，因此图纸舍弃！
主机部分包括：chuck加热平台，双驱柔性龙门台，TIP倾斜调整BH，XY气浮移动台等！来自欧洲的设计图纸！赠送8800CHAMEO技术资料一份！
适用：同尺寸芯片3D NAND、CIS 图像传感器、DRAM 堆叠，整片晶圆一次性键合、产能高；
难点：两片晶圆全片平整度、TTV 厚度偏差严苛管控。
适用：AI GPU/HBM、异构 Chiplet（不同工艺 / 尺寸裸片），拆解良品 die 贴到承载晶圆，是当下行业主流增量方向。
定义：实现铜 - 铜直接键合 + 介质 (SiO₂/SiCN) 共价键合、无凸点无焊料的精密半导体键合装备，是 HBM、3D NAND、AI Chiplet、CMOS 图像传感器先进封装的核心设备，分W2W 晶圆对晶圆、C2W 芯片对晶圆两大机型。
混合键合截面原理
键合工艺流程
晶圆经CMP 原子级抛光（粗糙度＜0.2nm）→等离子表面活化→纳米级对准→室温预贴合→低温退火（200~300℃），介质靠共价键贴合、铜垫原子扩散互连，互连间距可达1~10μm（传统微凸块≥20μm），I/O 密度提升 5~10 倍。
精密清洗 + 等离子活化腔：去除表面颗粒、活化氧化层羟基，是键合无空洞关键；
纳米对准系统：量产主流 **±50~100nm 对准精度 **，顶尖机型≤30nm，搭载光学 + 红外双对准；
真空键合压合腔体：闭环控压（分辨率 0.01N）、控温（温差 ±0.5℃）、高纯氮气环境；
原位在线量测模块：检测铜凹陷、键合空洞、对准偏移；
晶圆传送与预对准：全自动真空机械手，兼容 8/12 寸晶圆。
| 厂商 | 机型 & 技术 | 应用场景 |
|---|---|---|
| 荷兰 Besi（全球龙头，市占≈67%） | W2W/C2W 全系列，50nm 对准，HBM 主力机型 | 三星、SK 海力士、台积电 HBM4/SoIC、3D NAND36氪 |
| 美国应用材料 AMAT | 整线一体化方案（镀膜 + 活化 + 键合 + 检测），收购 Besi 股权深度协同 | 英特尔 Foveros Direct、算力 Chiplet 整线方案 |
| 奥地利 EVG | 晶圆键合平台，50nm 级 W2W，侧重存储、CIS | 3D NAND、图像传感器量产线 |
| 新加坡 ASMPT | 第二代 C2W 机型，2024 年交付 HBM 客户，自研高精度贴装 | SK 海力士 HBM3E/4E、异构 Chiplet |
| 德国 SUSS | 一体化集成式键合设备，单腔体全流程工艺 | 研发线、小批量特种器件 |
| # | 文件名称 | 大小 |
|---|---|---|
| 1 | 
混合键合热压键合TCB-HB设备3D图/8800 CHAMEO advanced核心技术说明.pdf
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1.3M |
| 2 |
混合键合热压键合TCB-HB设备3D图/Hybrid Bonding Equipment.STEP
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139.51M |
| 3 |
混合键合热压键合TCB-HB设备3D图/半导体设备图纸更多下载www.semimodel.com - 副本.pdf
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290.75K |
| 4 |
混合键合热压键合TCB-HB设备3D图
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