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DISCO DGP8761全自动晶圆研磨 抛光机（200/300mm 超薄减薄 + 干式应力释放）定位：DISCO 300mm 量产级背面研磨 + 干式抛光一体机，DGP8760 升级款，主打25μm 以下超薄晶圆稳定加工 + 干式去应力（无药液），先进封装（Bumping/TSV/2.5D）、功率器件、存储薄化主流设备！
先进封装：Bumping、TSV、2.5D/3D IC 超薄晶圆（5–20μm）制备
功率器件：IGBT、MOSFET、SiC/GaN 背面减薄（25–100μm），低损伤 + 高导热
存储芯片：3D NAND 超薄晶圆（10–30μm），堆叠封装需求
MEMS：加速度计、陀螺仪、微流控，大面积超薄平坦化
化合物半导体：GaAs、InP 射频 / 光电子器件衬底减薄
制程：先进封装、超薄晶圆（≥5μm）、功率器件（IGBT/SiC）、MEMS、3D NAND 薄化
二、整机架构
Z1（粗磨）：Φ300mm 金刚石砂轮，高去除率，快速减薄
Z2（精磨）：Φ300mm 金刚石砂轮，精密修面，降低粗糙度
Z3（干式抛光 / DP）：Φ450mm 干式抛光垫（可选 CMP 垫），无药液 / 无水，纯机械去应力，消除研磨损伤层，提升抗折强度
4 个多孔陶瓷吸盘，水冷控温，支持 300mm 晶圆真空吸附
旋转式并行加工：上料→粗磨→精磨→干式抛光→下料，无等待，产能最大化
Loadport：2 个，适配 25 片 FOUP / 开放式料盒
预对准 + CCD 缺口定位：精度 ±5μm，兼容 notch/flat 晶圆
内置旋转清洗 + 雾化喷淋：加工后自动清洗吸盘与晶圆，减少颗粒
工业 PC + 专用控制器，EtherCAT 总线，实时多轴同步 + 压力闭环
Kistler 压力传感器：Z 轴压力精度 ±1%，超薄加工防崩边
工艺配方库：粗磨 / 精磨 / 干式抛光参数可自由组合，适配不同材料（Si/Ge/GaAs/SiC）
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 晶圆尺寸 | 200mm/300mm（8/12 英寸） |
| 主轴数量 | 3（Z1 粗磨 / Z2 精磨 / Z3 干式抛光） |
| 主轴功率 | 6.3kW / 轴 |
| 主轴转速 | 1,000–4,000rpm（可调） |
| 工作盘数量 | 4（旋转式并行加工） |
| 加工厚度 | 5–200μm（稳定≤25μm） |
| 厚度均匀性（WiW） | ＜2.5μm（300mm，研磨 + DP） |
| 厚度一致性（W2W） | ±2.5μm（300mm，研磨 + DP） |
| 表面粗糙度 | Ra ≤ 0.5nm（干式抛光后） |
| 产能（UPH） | 30–50 片 / 小时（300mm 超薄工艺） |
| 尺寸（W×D×H） | 1,690×3,315×1,800mm（FOUP） |
| 重量 | 约 6,700kg |
| 功耗 | 约 25–30kW（低于 CMP） |
无药液 / 无水：纯机械摩擦抛光，环保、低成本、无水印 / 化学残留
去应力 + 去损伤层：消除研磨造成的微裂纹与残余应力，晶圆抗折强度提升 30–50%
Gettering DP 可选：形成内部 “吸杂层”，捕获重金属杂质，提升器件良率
三阶段研磨：粗磨快速减薄→精磨精密修面→干式抛光去应力，逐步降低应力，防崩边 / 翘曲
水冷吸盘 + 压力闭环：控制加工温度与压力，超薄（≤25μm）晶圆平整加工
