客服
Strasbaugh 量产型 CMP技术手册一套
首页 >半导体设备资料 >晶圆处理:清洗-研磨-减薄 2024-01-31 报告错误错误问题可与客服联系,感谢您的支持! [获取免费下载] 觉得本站不错记得分享给好友哦! 0
6
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
资料描述

Strasbaugh  是 200mm(8 英寸)量产型 CMP,主打单盘双载具、高性价比、多材质兼容,在 90nm 及以上节点、MEMS / 化合物半导体产线应用极广,和 AMAT 形成明确代差与市场分工。

其设备典型应用场景:成熟逻辑(90–180nm):氧化物 ILD、STI、钨 plugs。功率器件:IGBT、MOSFET、SiC(200mm)背面减薄 / 平坦化。MEMS:加速度计、陀螺仪、微流控,大面积平坦化。化合物半导体:GaAs、InP 射频 / 光电子器件衬底 / 薄膜平坦化。掩模 / 基板:EUV 掩模坯、石英基板抛光!

一、定位与市场角色

  • 厂商:Strasbaugh(美国,被 Applied Materials 收购前独立 CMP 厂商)

  • 尺寸100–200mm(4–8 英寸),量产主力为 200mm

  • 节点90nm–0.5μm,适合成熟逻辑、存储、功率器件、MEMS、化合物半导体(GaAs/InP)

二、整机架构(单盘双载具,紧凑量产型)

1. 抛光单元(核心)

  • 1 个抛光盘(Platen):直径约 750mm,支持 IC1000/Suba IV 等标准垫

  • 2 个抛光头 / 载具(ViPRR Carrier)双工位并行,一盘同时抛两片,产能提升显著

  • 多区背压(ViPRR):中心 / 中环 / 外环 3–4 区独立气压,压力 0–10 psi,WiW 均匀性可控

  • 主轴压力0–227kg(0–500lbs),闭环控制,精度 ±2%

2. 终点检测(电机电流式,低成本可靠)

  • Motor Current Endpoint:监测主轴负载电流变化,判断膜厚终点,无需光学窗口,稳定、维护简单

  • 可选光学终点:兼容反射率 / 干涉法,适配氧化物 / 金属 CMP

3. 自动上下料与清洗

  • Loadport:2 个,适配 25 片 FOUP,自动晶圆传输

  • 预对准±5μm 定位,兼容 notch/flat 晶圆

  • 简易清洗:喷淋 + 毛刷,无兆声 / Marangoni,适合成熟工艺,成本低、维护简单

4. 控制系统

  • 工业 PC + PLC,EtherCAT 总线,实时多轴同步

  • 工艺配方库:支持氧化物、STI、钨、铜、SOI、PolySi 等

三、关键技术参数(200mm 标准配置)

项目参数
晶圆尺寸100/150/200mm(4/6/8 英寸)
抛光盘数量1(单盘)
抛光头数量2(双载具,并行加工)
压力范围0–10 psi(多区背压);主轴 0–500 lbs
转速盘 10–250 rpm;头 10–250 rpm,精度 ±1%
均匀性(氧化物)WiW <5%(1σ);边缘 exclusion 3mm
产能 UPH60–120 片 / 小时(200mm 氧化物)
终点精度电机电流:±5–10nm;光学:±3–5nm
耗材寿命抛光垫 1000–1500 片;修整器 5000+ 片
尺寸(长 × 宽 × 高)约 2.8×2.2×2.5 m
功耗约 15–20 kW(远低于 LK 的 30–40 kW)

四、核心优势(量产 / 成熟工艺首选)

  1. 双载具高产能:单盘双工位,UPH 接近部分单盘三载具,成本仅为 AMAT LK 的 1/3–1/2

  2. 多材质兼容:氧化物、STI、钨、铜、SOI、PolySi、GaAs、InP、石英,MEMS / 化合物半导体标配

  3. ViPRR 多区背压:中心到边缘均匀性好,WiWNU <5%,良率稳定

  4. 电机电流终点:结构简单、故障率低、维护便宜,适合 24/7 量产

  5. 低拥有成本(CoO):功耗低、耗材便宜、维护简单,成熟制程性价比之王

下载需要2金币 推广可免费下载
资料信息
资料ID :207
文件大小:57.38M
资料格式:pdf
相关说明:若下载有问题,请在右侧咨询在线客服! 本站资料由用户自行上传,如权利人发现存在误传其作品情形,请及时与本站联系。