AMAT Reflexion-LK 是应用材料（AMAT）300mm 量产级 CMP 主力机台，主打三盘顺序抛光 + 在线终点控制 + 一体化清洗干燥，覆盖铜、氧化物、STI、钨等主流平坦化，是 14–90nm 节点的标准平台！资料为全套最新手册！对深入研究高端CMP设备十分有价值！
Reflexion‑LK 是 300mm 先进制程 CMP 的标杆设备，以三盘顺序抛光、在线纳米级终点、Desica 零水印清洗为核心，平衡产能、均匀性、缺陷、成本，是 14–90nm 逻辑 / 存储量产的标配。
市场地位：AMAT CMP 市占约 60–70%；Reflexion‑LK 为 300mm 量产主力，上代 Mirra 用于 200mm。
工艺节点：原生支持 45–90nm，可延伸至 14nm；升级 LK Prime 面向 7nm/5nm、FinFET、3D NAND。
核心优势：唯一三盘顺序抛光平台；超低缺陷 + 纳米级均匀性 + 高产能
3 个独立抛光盘（Platen 1/2/3）：顺序粗抛→精抛→终抛，适配三步工艺
3 个抛光头（Carrier）：多区气囊加压（中心 / 中环 / 外环），压力 0–5 psi 可调；支持 ≤1 psi 低压模式，减少超薄 / 软膜损伤
专利 Window‑in‑Pad：抛光垫内置光学窗口，实时在线终点检测，不牺牲产能
4 腔清洗 + 1 腔干燥：
双 PVA 毛刷（Brush 1/2）：物理去除颗粒。
兆声清洗（Megasonic）：纳米颗粒剥离。
全浸式 Marangoni 蒸汽干燥：IPA 气相，零水印、低颗粒
Loadport：2–4 个，适配 25 片 FOUP。
真空机器人 + 预对准：定位精度 ±5 μm。
OHT 自动对接：支持 Fab 自动化量产。
Platen1：粗抛（高去除率，铜 / 钨 bulk 去除）。
Platen2：精抛（形貌修正，降低粗糙度）。
Platen3：终抛（超低去除，缺陷控制、终点精准）
优势：单盘负荷低、垫寿命长、均匀性好、缺陷少。
FullVision XE：宽带光谱，膜厚分辨率 3–10 nm，适用于介质 / 金属 CMP
RTPC XE：霍尔涡流，金属层（Cu/W）实时厚度，防过抛
多区压力闭环：按在线膜厚数据动态调压力，晶圆内均匀性 <2 nm（300mm）
Marangoni 干燥：全浸→IPA 蒸汽→自然铺展，无接触、无水痕、颗粒 <0.05 μm
对比传统甩干：缺陷降低 90%，良率显著提升
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 晶圆尺寸 | 300mm（12 英寸） |
| 抛光盘数量 | 3（顺序抛光） |
| 抛光头数量 | 3（多区加压） |
| 压力范围 | 0–5 psi（低压模式 ≤1 psi） |
| 抛光垫 | IC1000/Suba IV 等，可兼容主流耗材 |
| 终点精度 | ±3–10 nm（在线） |
| 均匀性 | WiW <2 nm；W2W <3 nm |
| 产能（UPH） | 120–180 片 / 小时（视工艺） |
| 清洗干燥 | Desica：4 清洗 + 1 Marangoni 干燥 |
| 尺寸（长 × 宽 × 高） | 约 3.5×2.5×3.0 m |
| 功耗 | 约 30–40 kW |
Reflexion‑LK：3 盘 + 3 头 + 7 模块；三步工艺优化；14–90nm 主流
Reflexion‑LK Prime：4 盘 + 6 头 + 14 模块；产能翻倍（UPH 240–360）；面向 7nm/5nm、FinFET、3D NAND
缺陷控制：依赖 Marangoni 干燥 + 兆声清洗，水印 / 颗粒缺陷 <0.1%
均匀性：多区压力 + 在线终点，WiW/W2W Cpk ≥1.33
耗材管理：三盘负荷均衡，抛光垫寿命延长 30%，成本更低。
