Applied Materials AKT 60（常写为 AKT 60K） 是应用材料旗下 AKT 事业部 推出的 Gen 6 代线 PECVD 设备，专门面向 1500×1850mm 大尺寸玻璃基板 的 TFT‑LCD/OLED 背板绝缘与半导体薄膜量产。

AKT 60K（AKT 60 PECVD） 是 Gen6 代线的标杆 PECVD，以大面积均匀性、低温工艺、高产能成为 LCD 时代的主力设备，至今仍在中小尺寸面板与 OLED 产线广泛使用。

一、定位与用途

• 设备类型：大面积平板显示用 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）

• 制程节点：Gen 6（第六代），基板 1500×1850mm，面积约 2.78 m²。

• 核心应用：

  • TFT‑LCD：SiNx 栅极绝缘层、a‑Si 有源层、n+a‑Si 欧姆接触层。

  • 氧化物半导体（IGZO）：低氢 SiOx 栅氧 / 钝化层

  • OLED：背板绝缘、薄膜封装 TFE（SiNx/SiOx 叠层）。

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二、型号与配置

• AKT 60K：标准 Gen6 机型，5 腔室（Load Lock ×2 + Process ×3）。

• AKT 60K‑HT：高温版（最高 450℃），适配 LTPS 多晶硅制程。

• AKT 60K‑OLED：低氢、高均匀性优化，用于 OLED 封装与背板。

三、关键技术参数（典型值）

• 基板尺寸：1500 × 1850 mm（Gen6）。

• 腔室架构：多腔集群（最多 5 个工艺腔），并行 / 串行处理。

• 沉积薄膜：

  • 绝缘：SiNx、SiOx、SiON

  • 半导体：本征 / 掺杂 a‑Si、μc‑Si。

• 均匀性：≤±1.5%（3σ，全基板），矩阵式分布式 RF 电极。

• 基板温度：150–400℃，高精度控温（偏差 ±1.0℃）。

• 射频频率：13.56 MHz，功率 0–10 kW 可调。

• 产能：单层膜 >60 片 / 小时；Gate/a‑Si/n+ 三层 sequential >30 片 / 小时。

• 真空系统：Load Lock 粗抽 + 工艺腔高真空（<1×10⁻⁶ Torr）。

四、核心技术与优势

1. APXL™ 腔室：专利气流与等离子体分布控制，大面均匀性行业标杆。

2. 低温工艺（200–350℃）：适配玻璃 / PI 柔性基板，不损伤金属层。

3. 高产能多腔设计：5 腔并行，单台年产百万级面板。

4. 低氢薄膜：SiOx 氢杂质极低，提升氧化物 TFT 稳定性

5. 高可靠性：UpTime >98%，适配 24/7 量产。

五、与前代 / 后代机型对比

• AKT 25K（Gen5）：基板 1200×1300mm，产能与均匀性低于 60K。

• AKT 50K（Gen8）：基板 2160×2400mm，2005 年推出，更大尺寸、更高产能。

• AKT 100K（Gen10.5）：基板 3370×2940mm，用于 8K/OLED 高端电视。