AMAT 应用材料 Epi Centura 300是12 英寸 (300mm) 半导体硅外延（Epitaxy）专用量产设备，属于化学气相外延 CVD-Epi，成熟制程逻辑、功率半导体、模拟芯片、CMOS 图像传感器标配外延机台。
在抛光硅片表面，生长一层单晶硅外延层：
硅外延 Si Epi
锗硅 SiGe 外延
碳化硅 SiC 外延（兼容适配配置）
功率器件、IGBT、MOSFET 耐压外延层
逻辑 IC、CIS 图像传感器底层外延
作用：精准控制电阻率、厚度、晶格结构，提升击穿电压、降低漏电流。
AMAT 经典 Centura 集群式平台
Load Port 晶圆装卸口（适配 12 寸 FOUP）
真空传输机器人腔体
多个工艺反应腔（Epi Chamber）
预处理 / 预热腔
气体管路、MO 源、氢气 / 硅烷 / 乙硅烷气源系统
尾气处理、温控、RF 射频、压力闭环控制
特点：多腔并行、全自动晶圆传送、高均匀性、量产稳定性极强。
晶圆尺寸：300mm（12 寸）
外延层厚度：1μm ~ 120μm 精准可控
厚度均匀性：≤1%（整片）
电阻率均匀性：≤2%
生长温度：900～1150℃ 高温气相外延
工作压力：常压 / 低压 LPE 可选
产能：约 80–120 片 / 小时 视工艺厚度
成熟逻辑 40nm/28nm
功率半导体 IGBT/MOSFET
CMOS 图像传感器 CIS
模拟 / 电源管理 IC
SiC/GaN 宽禁带外延（高配版）
硅片 → Epi Centura 300 外延生长 → 光刻 → 离子注入 → 刻蚀 → 薄膜 → 研磨 → 切割 → 分选
外延是晶体管基底基础工艺，排在光刻、离子注入前面。
应用材料 Epi Centura 300
东京电子 TEL 300mm Epi 外延机
泛林 Lam 外延集群机
中微公司、北方华创、烁科中科信 12 寸外延机
目前成熟制程可替代，高端 SiGe、超厚外延仍以 AMAT 为主
AMAT Centura 通用集群平台，兼容性强、备件成熟
12 寸量产主力，外延厚度 / 电阻率控制业界标杆
适合功率、CIS、逻辑成熟制程大批量生产
二手机市场流通量大，翻新机性价比很高
