这是iFeng关于半导体先进封装工艺中关键材料研发的技术资料。
以下是该文档的总结及技术要点：
针对半导体倒装芯片封装中的焊球制备工艺，开发出了一种高性能的锡银（Sn/Ag）电镀液。
实现锡银电镀液的自主研发，满足微间距封装的要求，并解决焊球沉积过程中的厚度均匀性、晶粒控制等技术难题。
开发出的Sn/Ag电镀液已在8英寸及12英寸晶圆上通过测试，具备优异的工艺兼容性和均匀度。
组分协同： 通过研发新型添加剂，实现了在电流密度 2~6.5 ASD（安培/平方分米）范围内，镀液中银（Ag）含量稳定在 3~4 at% 的目标。
晶粒细化： 该技术克服了传统电镀液在厚膜沉积过程中，随厚度增加而导致晶粒粗大的问题，从而保证了焊球的微观结构质量。
高度均匀性： 在12英寸（大尺寸）晶圆的电镀实验中，焊球的高度均匀性（控制在 8% 以内，这一指标优于或等同于现有市售高端产品。
制程兼容性： 验证了该镀液与半导体晶圆凸点工艺中常用的正胶和负胶具有良好的兼容性，不会产生剥离或腐蚀等不良现象。
微间距适配： 报告中提到了与韩国生产技术研究院的合作，将该技术应用于 25µm 间距（Pitch）的铜柱（Cu Pillar）凸点工艺中，展示了其在超微间距封装中的应用潜力。
