以下是该文档的核心内容：（内部研发资料，请慎用）对标AMAT！
随着半导体器件缩小至10nm以下，为了提高载流子迁移率，需要使用“应变硅”技术，即在源极/漏极区域选择性外延生长SiGe或Si[C]层。
现有的外延设备多为单片式，生产效率低，设备成本负担大。该项目旨在开发一种能够替代国外低生产率设备、实现国产化的高生产率批量式外延生长设备。
批量式系统设计：开发了多层结构的批量式选择性外延生长系统，能够同时处理多张12英寸晶圆，显著提高了生产效率。
工艺与硬件优化：
为了实现高均匀性，开发了独立的各层晶圆气体喷射喷嘴（及流量控制阀。
优化了反应器设计，确保气流呈层流，并最小化颗粒产生。
