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晶圆级自动封装成型设备和高密度等离子体源技术资料122页
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资料描述

该文档内容旨在展示以下两项核心技术,以实现半导体制造工艺的本地化并提高

这两台设备分别解决了半导体封装与制造过程中的不同瓶颈问题:

  • 无氧化物光刻胶条带系统

    • 核心功能:通过引入氢(H₂)等离子体,替代传统的氧(O₂)等离子体来剥离光刻胶 

    • 解决痛点:传统氧等离子体易导致金属线路氧化和接触电阻升高。该系统旨在实现“低氧化/无氧化”处理,以满足10nm以下超微细节点的先进封装需求

  • 压缩成型设备(压缩式晶圆级自动成型系统)

    • 核心功能:采用液态压缩成型技术对晶圆进行封装

    • 解决痛点:针对先进封装(如FO-WLP,扇出型晶圆级封装),替代传统的晶圆背面研磨所用的昂贵层压膜,旨在降低材料成本、减少晶圆破损并提高生产效率


1. 采用高密度 H₂等离子体注入源的无氧化光刻胶条带系统

  • 现有的氧(O₂)等离子体灰化工艺存在因金属图案氧化而导致接触电阻增大的问题   。为了解决这个问题,开发一种无氧化/低氧化工艺和设备,通过使用氢(H₂)等离子体代替氧等离子体来防止金属和硅的氧化  

  • 关键内容技术细节


    • 用于氢等离子体形成的高密度等离子体源和自动匹配器的开发  


    • 通过改进修订挡板和提升销模块设计来提高工艺均匀性  


    • 通过应用双 EPD(终点检测器)技术实现精确的过程终点控制  

  • 适用于 10nm 或更小精细工艺的性能水平(氧化量为 1Å/20 秒或更少,剥离率高等),并通过与SK 海力士 和 Fab In 为大规模生产奠定了基础

2. 压缩式晶圆级自动封装成型设备

  • 在半导体封装市场,随着超轻量化和超小型化的发展,需要国产设备来取代依赖昂贵的进口胶带(BG 胶带)的现有工艺,并应对下一代封装工艺,例如 FO-WLP(扇出型晶圆级封装

  • 关键技术细节


    • 通过应用液态压缩成型方法降低成本并提高质量  


    • 开发定量点胶模块(精度小于 0.2g)和与 12 英寸晶圆兼容的高精度模具技术  


    • 利用基于伺服控制的过程反馈系统确保大规模生产的稳定性  

  • 实现了模塑平整度达到 9µm、缺陷率低于 1% 等目标