文档主页其核心技术内容主要围绕利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，在晶圆上高效制备无定形碳层（ACL, Amorphous Carbon Layer）作为超微细半导体电路制程中的硬掩膜（Hard Mask）！
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该设备采用了高度模块化和高生产率的设计结构，主要包含三大模块 ：
EFEM（设备前端模块）： 负责晶圆的进出与对准（支持最大4个 FOUP 端口） 。
Transfer Module（TM, 传输模块）： 内部配有真空机器人（Vacuum Robot），可将设备从原有的4角形结构改进为6角形结构，最大可无缝连接 6 个工艺模块，并具备防滑滑、防托举形变的机械臂优化设计 。
Process Module（PM, 工艺模块/反应腔体）： 核心工艺进行地。包含特制的等离子体发生部、气流分配的花洒头（Shower Head）、加热基座（Heater/Susceptor）以及退火（Anneal）单元等 。
大口径等离子体源（Plasma Source）： 为解决 450mm 大尺寸晶圆沉积时容易出现的“驻波（Standing Wave）”导致的均匀性变差问题，研发了新型 VHF（高频，~60MHz）超大面积等离子体源，并通过可调节阻抗的 Power Feeding 馈电结构消除驻波现象 。
次世代前驱体（Precursor）与掺杂技术： 采用了碳氢化合物作为主源，并探索了硅（Si）、氮（N）以及氧（O）等多种元素的掺杂（Doping）工艺 。例如通过 N₂ 的引入，在保证薄膜硬度的同时能够有效缓解并释放薄膜应力（Film Stress） 。
Stack（叠层）与 Gapfill（缝隙填充）工艺： 为平衡“高选择比”与“低应力（Low Stress）”之间的矛盾，开发了 Stack 叠层工艺：底部沉积引入 O₂ 掺杂的低应力 ACL 层，顶部则沉积具有超高耐刻蚀性的单层 ACL，使最终成品同时兼顾两者特性 。
Ar 离子后处理技术（Plasma Treatment）： 在薄膜沉积后，利用 RF+DC 偏压引入高能 Ar 等离子体对薄膜表面进行化学/物理改性，有效提高了 ACL 膜对氧化物（Oxide）的耐刻蚀性 。
