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溅射设备的开发技术资料-88页
首页 >半导体设备资料 >晶圆制造:镀膜-PVD-CVD 2024-01-31 报告错误错误问题可与客服联系,感谢您的支持! [获取免费下载] 觉得本站不错记得分享给好友哦! 0
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图纸预览图
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资料描述

一种适用于大面积(510x405mm)PCB 基板的在线复合溅射设备以取代现有的化学铜工艺,符合移动设备高性能和超薄化的趋势 !大量细节图纸和数据等仅供参考!

详细内容

  • 三室式结构,能够进行连续脱气、ICP-RIE 等离子体预清洗和金属(Ti/Cu)薄膜沉积  

  • ICP-RIE 方法应用于在线结构时,由于偏置功率施加和电极温度控制等方面的限制,粘附力(剥离测试)未能达到目标值    增加了一个“离子束预处理单元” 以确保粘附力 

  • 最终技术方案: 由脱气室、离子束预处理室、钛溅射室、铜溅射室和卸料室串联组成的在线系统。

  • 使用 CFD-ACE+ 程序对矩形 ICP 天线和等离子体系统进行 3D 数值建模和分析,从而支持设计优化  


  • SiO2 薄膜刻蚀厚度和均匀性: 通过独立的 RIE 和离子束预处理测试,计划的目标(刻蚀厚度最小 150Å,均匀性 ≤ 15% 等)100% 得到满足  


  • 薄膜沉积厚度均匀性: 达到 5.8%(目标为 10% 或更低),达到 100%  


  • 涂层附着力: 附着力测量结果记录为 0.595 kgf/cm ,达到目标的约 99%( 0.6 kgf/cm或更高)